《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志影響因子：2.5。
期刊Ieee Transactions On Device And Materials Reliability近年評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖
期刊影響因子趨勢(shì)圖
以下是一些常見(jiàn)的影響因子查詢(xún)?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢(xún)SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺(tái)，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個(gè)網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶(hù)可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢(xún)，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開(kāi)放（Not Open Access）的國(guó)際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語(yǔ)言為English，創(chuàng)刊于2001年。自創(chuàng)刊以來(lái)，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國(guó)內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q2區(qū)，中科院分區(qū)為工程技術(shù)大類(lèi)3區(qū)，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類(lèi)3區(qū)。
期刊發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 機(jī)構(gòu) | 發(fā)文量 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 23 |
| IMEC | 15 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQ... | 14 |
| STMICROELECTRONICS | 10 |
| TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN | 9 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 8 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 8 |
| COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 7 |
| GLOBALFOUNDRIES | 7 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
國(guó)家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
| 國(guó)家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
| USA | 52 |
| CHINA MAINLAND | 51 |
| India | 50 |
| Taiwan | 35 |
| France | 20 |
| Italy | 18 |
| Belgium | 15 |
| Austria | 14 |
| Japan | 13 |
| GERMANY (FED REP GER) | 12 |
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 167 |
| IEEE T NUCL SCI | 116 |
| MICROELECTRON RELIAB | 100 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 69 |
| APPL PHYS LETT | 59 |
| J APPL PHYS | 44 |
| IEEE T COMP PACK MAN | 24 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 23 |
| IEEE T POWER ELECTR | 23 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| IEEE T ELECTRON DEV | 127 |
| IEEE T DEVICE MAT RE | 93 |
| MICROELECTRON RELIAB | 88 |
| IEEE ACCESS | 47 |
| IEEE T NUCL SCI | 37 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 36 |
| IEICE ELECTRON EXPR | 35 |
| IEEE T POWER ELECTR | 31 |
| J MATER SCI-MATER EL | 31 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 30 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| A First-Principles Study of the SF6 Decomp... | 23 |
| Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its I... | 9 |
| Comparative Thermal and Structural Charact... | 9 |
| Output-Power Enhancement for Hot Spotted P... | 8 |
| Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Tes... | 7 |
| Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide... | 7 |
| Impacts of Process and Temperature Variati... | 6 |
| Comparative Study of Reliability of Ferroe... | 6 |
| A Compact and Self-Isolated Dual-Direction... | 6 |
| A Review on Hot-Carrier-Induced Degradatio... | 6 |
