《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志在中科院分區(qū)中是2區(qū)，在JCR分區(qū)中是Q2區(qū)。

這表明《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志在工程技術(shù)領域具有較高的學術(shù)水平和影響力，其發(fā)表的論文質(zhì)量和數(shù)量均得到了學術(shù)界的廣泛認可。

這進一步證明了《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志在物理：應用領域的卓越學術(shù)地位和影響力。

根據(jù)最新的數(shù)據(jù)，該雜志的CiteScore指數(shù)統(tǒng)計為5.8，SJR：0.785，SNIP：1.223，（學科類別：大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering，分區(qū)：Q2，學科類別：大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials，分區(qū)：Q2）這表明該雜志在物理：應用領域具有較高的學術(shù)影響力和引用率。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志創(chuàng)刊于1954年，由UNITED STATES的Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版。作為一本享有盛譽的學術(shù)期刊，它致力于及時、準確、全面地報道國內(nèi)外PHYSICS, APPLIED物理：應用工作者在該領域的科學研究、技術(shù)革新和學術(shù)動態(tài)。

該雜志的國際標準簡稱是IEEE T ELECTRON DEV，其ISSN號為0018-9383（印刷版）和E-ISSN號為1557-9646（電子版），該雜志歡迎涉及工程技術(shù)領域的原創(chuàng)理論、方法、技術(shù)和重要應用的稿件，并刊載了涉及工程技術(shù)領域的相關欄目：綜述、論著、述評、論著摘要等。