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Ieee Transactions On Electron Devices

Ieee Transactions On Electron Devices SCIE

IEEE Transactions On Electron Devices  國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：IEEE T ELECTRON DEV

Ieee Transactions On Electron Devices（IEEE Transactions On Electron Devices雜志）是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開(kāi)放（Not Open Access）的國(guó)際優(yōu)秀期刊。旨在幫助發(fā)展和壯大工程技術(shù)及相關(guān)學(xué)科的各個(gè)方面。該期刊接受多種不同類(lèi)型的文章。本刊出版語(yǔ)言為English，創(chuàng)刊于1954年。自創(chuàng)刊以來(lái)，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國(guó)內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了PHYSICS, APPLIED在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。

雜志介紹

  • ISSN：0018-9383

    E-ISSN：1557-9646

    出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  • 出版語(yǔ)言：English

    出版地區(qū)：UNITED STATES

    出版周期：Monthly

  • 是否OA：未開(kāi)放

    是否預(yù)警：否

    創(chuàng)刊時(shí)間：1954

  • 年發(fā)文量：1084

    影響因子：2.9

    研究類(lèi)文章占比：100.00%

    Gold OA文章占比：6.38%

    H-index：165

    出版國(guó)人文章占比：0.22

    出版撤稿文章占比：

    開(kāi)源占比：0.06...

    文章自引率：0.1612...

《Ieee Transactions On Electron Devices》是一份國(guó)際優(yōu)秀期刊，為工程技術(shù)領(lǐng)域的研究人員和從業(yè)者提供科學(xué)論壇。該期刊涵蓋了工程技術(shù)及相關(guān)學(xué)科的所有方面，包括基礎(chǔ)和應(yīng)用研究，使讀者能夠獲得來(lái)自世界各地的最新、前沿的研究。該期刊歡迎涉及工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)理論、方法、技術(shù)和重要應(yīng)用的稿件，并刊載了涉及工程技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)欄目：綜述、論著、述評(píng)、論著摘要等。所有投稿都有望達(dá)到高標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)性，并為推進(jìn)該領(lǐng)域的科研知識(shí)傳播做出貢獻(xiàn)。該期刊最新CiteScore值為5.8，最新影響因子為2.9，SJR指數(shù)為0.785，SNIP指數(shù)為1.223。

期刊Ieee Transactions On Electron Devices近年評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

中科院SCI期刊分區(qū)大類(lèi)分區(qū)趨勢(shì)圖
期刊自引率趨勢(shì)圖
期刊CiteScore趨勢(shì)圖
期刊影響因子趨勢(shì)圖
期刊年發(fā)文量趨勢(shì)圖

期刊CiteScore指數(shù)統(tǒng)計(jì)（2024年最新版）

CiteScore指標(biāo)的應(yīng)用非常廣泛，以期刊的引用次數(shù)為基礎(chǔ)評(píng)估期刊的影響力。它可以反映期刊的學(xué)術(shù)影響力和學(xué)術(shù)水平，是學(xué)術(shù)界常用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)之一。

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
5.8 0.785 1.223
學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797

72%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284

71%

CiteScore是由Elsevier公司開(kāi)發(fā)的一種用于衡量科學(xué)期刊影響力的指標(biāo)，以期刊的引用次數(shù)為基礎(chǔ)評(píng)估期刊的影響力。這個(gè)指標(biāo)是由Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)支持，以四年為一個(gè)時(shí)段，連續(xù)評(píng)估期刊和叢書(shū)的引文影響力的。具體來(lái)說(shuō)，CiteScore是計(jì)算某期刊連續(xù)三年發(fā)表的論文在第四年度的篇均引用次數(shù)。CiteScore和影響因子（IF）有所不同。例如，在影響因子的計(jì)算中，分子是來(lái)自所有文章的引用次數(shù)，包括編輯述評(píng)、讀者來(lái)信、更正信息和新聞等非研究性文章，而分母則不包括這些非研究性文章。然而，在CiteScore的計(jì)算中，分子和分母都包括這些非研究性文章。因此，如果這些非研究性文章比較多，由于分母較大，相較于影響因子，CiteScore計(jì)算出來(lái)的分?jǐn)?shù)可能會(huì)偏低。此外，CiteScore的引用數(shù)據(jù)來(lái)自Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中的22000多個(gè)期刊，比影響因子來(lái)自Web of Science數(shù)據(jù)庫(kù)的11000多個(gè)期刊多了一倍。

期刊WOS(JCR)分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

WOS(JCR)分區(qū)是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，分區(qū)越靠前一般代表期刊質(zhì)量越好，發(fā)文難度也越高。這種分級(jí)體系有助于科研人員快速了解各個(gè)期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個(gè)學(xué)科領(lǐng)域進(jìn)行分類(lèi)，然后以影響因子為標(biāo)準(zhǔn)平均分為四個(gè)等級(jí)：Q1、Q2、Q3和Q4區(qū)。這種設(shè)計(jì)使得科研人員可以更容易地進(jìn)行跨學(xué)科比較。

中科院SCI期刊分區(qū)

中科院SCI期刊分區(qū)是由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家科學(xué)圖書(shū)館制定的。將所有的期刊按照學(xué)科進(jìn)行分類(lèi)，以影響因子為標(biāo)準(zhǔn)平均分為四個(gè)等級(jí)。分區(qū)越靠前一般代表期刊質(zhì)量越好，發(fā)文難度也越高。

2023年12月升級(jí)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
否 否 工程技術(shù) 2區(qū)
PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣
2區(qū) 3區(qū)

2022年12月升級(jí)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
否 否 工程技術(shù) 2區(qū)
PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣
2區(qū) 3區(qū)

2021年12月舊的升級(jí)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
否 否 工程技術(shù) 2區(qū)
PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣
2區(qū) 3區(qū)

2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
否 否 工程技術(shù) 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
3區(qū) 3區(qū)

2021年12月升級(jí)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
否 否 工程技術(shù) 2區(qū)
PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣
2區(qū) 3區(qū)

2020年12月舊的升級(jí)版

Top期刊 綜述期刊 大類(lèi)學(xué)科 小類(lèi)學(xué)科
是 否 工程技術(shù) 2區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
2區(qū) 2區(qū)

投稿提示

Ieee Transactions On Electron Devices(中文譯名IEEE Transactions On Electron Devices雜志)是一本專(zhuān)注于工程技術(shù),工程：電子與電氣領(lǐng)域的國(guó)際期刊，致力于為全球PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的研究者提供一個(gè)高質(zhì)量的學(xué)術(shù)交流平臺(tái)。該期刊ISSN：0018-9383，E-ISSN：1557-9646，出版周期Monthly。在中科院的大類(lèi)學(xué)科分類(lèi)中，該期刊屬于工程技術(shù)范疇，而在小類(lèi)學(xué)科中，它主要涵蓋了PHYSICS, APPLIED這一領(lǐng)域。編輯部誠(chéng)摯邀請(qǐng)廣大工程技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者投稿，內(nèi)容可以涵蓋工程技術(shù)的綜合研究、實(shí)踐應(yīng)用、創(chuàng)新成果等方面。同時(shí)，我們也歡迎學(xué)者們就相關(guān)主題進(jìn)行簡(jiǎn)短的交流和評(píng)論，以促進(jìn)學(xué)術(shù)界的互動(dòng)與合作。為了保證期刊的質(zhì)量，審稿周期預(yù)計(jì)為 約4.7個(gè)月 。在此期間，編輯部將對(duì)所有投稿進(jìn)行嚴(yán)格的同行評(píng)審，以確保發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)價(jià)值和實(shí)用性。

值得一提的是，Ieee Transactions On Electron Devices近期并未被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，這意味著其學(xué)術(shù)質(zhì)量和影響力得到了廣泛認(rèn)可。該期刊為工程技術(shù)領(lǐng)域的學(xué)者提供了一個(gè)優(yōu)質(zhì)的學(xué)術(shù)交流平臺(tái)。因此，關(guān)注并投稿至Ieee Transactions On Electron Devices無(wú)疑是一個(gè)明智的選擇，這將有助于提升您的學(xué)術(shù)聲譽(yù)和研究成果的傳播。

多年來(lái)，我們專(zhuān)注于期刊投稿服務(wù)，能夠?yàn)槟治鐾扑]目標(biāo)期刊。憑借多年來(lái)豐富的投稿經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)指導(dǎo)，我們有效助力提升錄用幾率。點(diǎn)擊以下按鈕即可免費(fèi)咨詢(xún)。

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期刊發(fā)文分析

國(guó)家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國(guó)家 / 地區(qū) 發(fā)文量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
期刊引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 1587
APPL PHYS LETT 1366
J APPL PHYS 866
SOLID STATE ELECTRON 384
PHYS REV B 305
ADV MATER 238
MICROELECTRON RELIAB 235
NANO LETT 209
ACS APPL MATER INTER 195
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
期刊被引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 865
JPN J APPL PHYS 565
IEEE J ELECTRON DEVI 499
SOLID STATE ELECTRON 431
IEEE ACCESS 422
SEMICOND SCI TECH 412
J APPL PHYS 400
APPL PHYS LETT 388
J COMPUT ELECTRON 284
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
文章引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
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