《Journal Of Vacuum Science & Technology B》雜志影響因子：1.5。
期刊Journal Of Vacuum Science & Technology B近年評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖
期刊影響因子趨勢(shì)圖
以下是一些常見(jiàn)的影響因子查詢?nèi)肟冢?
（1）Web of Science：是查詢SCI期刊影響因子的權(quán)威平臺(tái)，收錄全球高質(zhì)量學(xué)術(shù)期刊，提供詳細(xì)的期刊引證報(bào)告，包括影響因子、分區(qū)、被引頻次等關(guān)鍵指標(biāo)。
（2）?Journal Citation Reports (JCR)：JCR是科睿唯安旗下的一個(gè)網(wǎng)站，提供了期刊影響因子、引用數(shù)據(jù)和相關(guān)指標(biāo)。用戶可以在該網(wǎng)站上查找特定期刊的影響因子信息。
（3）中科院SCI期刊分區(qū)表：提供中科院分區(qū)的期刊數(shù)據(jù)查詢，包括影響因子和分區(qū)信息。
《Journal Of Vacuum Science & Technology B》雜志是由A V S AMER INST PHYSICS出版社主辦的一本以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究方向，OA非開放（Not Open Access）的國(guó)際優(yōu)秀期刊。
該雜志出版語(yǔ)言為English，創(chuàng)刊于1991年。自創(chuàng)刊以來(lái)，已被SCIE（科學(xué)引文索引擴(kuò)展板）等國(guó)內(nèi)外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質(zhì)量的論文，重點(diǎn)介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實(shí)踐中的理論、研究和應(yīng)用。
?學(xué)術(shù)地位：在JCR分區(qū)中位列Q3區(qū)，中科院分區(qū)為工程技術(shù)大類4區(qū)，ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣小類4區(qū)。
期刊發(fā)文分析
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| APPL PHYS LETT | 314 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| J APPL PHYS | 198 |
| PHYS REV B | 108 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
| NANO LETT | 77 |
| THIN SOLID FILMS | 66 |
| APPL SURF SCI | 62 |
| MICROELECTRON ENG | 62 |
| NANOTECHNOLOGY | 62 |
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| JPN J APPL PHYS | 267 |
| J APPL PHYS | 249 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| APPL SURF SCI | 152 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
| ACS APPL MATER INTER | 126 |
| NANOTECHNOLOGY | 121 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| ECS J SOLID STATE SC | 105 |
| MATER RES EXPRESS | 94 |
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計(jì)
| 文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
| Review Article: Synthesis, properties, and... | 21 |
| Review Article: Atomic layer deposition of... | 14 |
| Tutorial on interpreting x-ray photoelectr... | 9 |
| Future prospects of fluoride based upconve... | 7 |
| Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with ... | 7 |
| High-density energy storage in Si-doped ha... | 6 |
| Minimal domain size necessary to simulate ... | 6 |
| Direct metal etch of ruthenium for advance... | 6 |
| Reduced twinning and surface roughness of ... | 6 |
| Atomic force microscope integrated with a ... | 6 |
