《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志投稿要求，如下：

（1）請(qǐng)勿一稿多投，嚴(yán)禁抄襲、剽竊。

（2）論文內(nèi)容要求：題目、作者姓名、單位、摘要、關(guān)鍵詞、圖題和表題、基金、第一作者簡(jiǎn)介。

（3）引言言簡(jiǎn)意賅，突出重點(diǎn)。不應(yīng)過(guò)多敘述同行熟知及教科書中的常識(shí)性內(nèi)容，引言作為論文的開(kāi)端，主要回答“為什么研究”這一問(wèn)題。

（4）參考文獻(xiàn)要求在文中對(duì)應(yīng)處以上角標(biāo)形式按引用順序標(biāo)出序號(hào)。作者超過(guò)3個(gè)時(shí)，只著錄前3個(gè)，其后以“，”斷開(kāi)加“等”。

（5）注釋：解釋題名、作者及某些內(nèi)容，均可使用注釋。能在文章內(nèi)用括號(hào)注釋的，盡量不單獨(dú)列出；不隨文列出的注釋，標(biāo)注符號(hào)應(yīng)注在需要注釋的詞、詞組或語(yǔ)句的右上角，用①，②，③……表示，并于文后依次列出。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志是由重慶光電技術(shù)研究所主辦的季刊，審稿周期預(yù)計(jì)為1個(gè)月內(nèi)。該雜志的欄目設(shè)置豐富多樣，涵蓋科技論文 研究報(bào)告 性能分析 產(chǎn)品介紹 光電技術(shù)應(yīng)用 學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴等。

該雜志為學(xué)者們提供了一個(gè)交流學(xué)術(shù)成果和經(jīng)驗(yàn)的平臺(tái)，發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)水平和實(shí)踐價(jià)值，為讀者提供更多的實(shí)踐案例和行業(yè)信息，得到了廣大讀者的廣泛關(guān)注和引用。