《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志的收稿方向主要包括：科技論文 研究報(bào)告 性能分析 產(chǎn)品介紹 光電技術(shù)應(yīng)用 學(xué)術(shù)爭鳴等。

該雜志收稿方向廣泛，涵蓋了科技的多個重要領(lǐng)域和前沿話題，為科技工作者和研究者提供了一個交流和分享學(xué)術(shù)成果的重要平臺。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志投稿要求

（1）請勿一稿多投，嚴(yán)禁抄襲、剽竊。

（2）論文內(nèi)容要求：題目、作者姓名、單位、摘要、關(guān)鍵詞、圖題和表題、基金、第一作者簡介。

（3）引言言簡意賅，突出重點(diǎn)。不應(yīng)過多敘述同行熟知及教科書中的常識性內(nèi)容，引言作為論文的開端，主要回答“為什么研究”這一問題。

（4）參考文獻(xiàn)要求在文中對應(yīng)處以上角標(biāo)形式按引用順序標(biāo)出序號。作者超過3個時(shí)，只著錄前3個，其后以“，”斷開加“等”。

（5）注釋：解釋題名、作者及某些內(nèi)容，均可使用注釋。能在文章內(nèi)用括號注釋的，盡量不單獨(dú)列出；不隨文列出的注釋，標(biāo)注符號應(yīng)注在需要注釋的詞、詞組或語句的右上角，用①，②，③……表示，并于文后依次列出。

《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志是由信息產(chǎn)業(yè)部主管和重慶光電技術(shù)研究所主辦的學(xué)術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1995年，國內(nèi)外公開發(fā)行，國際刊號ISSN為1007-0206，國內(nèi)刊號CN為50-1093/TN，該雜志級別為省級期刊，預(yù)計(jì)審稿周期為1個月內(nèi)。

該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力，多次獲得國內(nèi)外權(quán)威獎項(xiàng)，如Caj-cd規(guī)范獲獎期刊、中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）等。

在收錄方面，《半導(dǎo)體光子學(xué)與技術(shù)》雜志被多個知名數(shù)據(jù)庫收錄，包括：知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏等，在科技領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)價(jià)值和影響力，是科技研究者和實(shí)踐者的重要參考刊物。