《微細(xì)加工技術(shù)》雜志投稿要求,如下:
(1)題目:應(yīng)反映文章主要內(nèi)容,一般不用副標(biāo)題,不超過20個漢字,避免使用非公知的外文縮寫。
(2)本刊將對一稿兩投者表示公開譴責(zé),通知作者單位,并2年內(nèi)拒絕該文第一作者的任何來稿。
(3)來稿一經(jīng)采用,因人力所限一般不退稿,請作者自留底稿,文稿署名自便,但來稿請注明作者真實姓名、單位、職稱、通訊地址、郵政編碼及電話,以便聯(lián)系。
(4)注釋時,必須將其作者姓名、文獻(xiàn)名、出版社、出版時間、所屬頁碼一并注出。
(5)參考文獻(xiàn):作者年份制,正文中以(作者,年份)形式置于對應(yīng)處;詳細(xì)內(nèi)容采用文后注形式,中文在前、英文在后,以音序排序,具體著錄格式見附件。
微細(xì)加工技術(shù)雜志發(fā)文分析
微細(xì)加工技術(shù)主要機(jī)構(gòu)發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
中國科學(xué)院 | 192 | 光刻;電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);掩模 |
上海交通大學(xué) | 129 | 微機(jī)電系統(tǒng);電系統(tǒng);機(jī)電系統(tǒng);MEMS;刻蝕 |
清華大學(xué) | 60 | 微細(xì);光刻;微細(xì)加工;離子束;聚焦離子束 |
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) | 47 | 刻蝕;離子束;離子束刻蝕;光刻;衍射 |
電子工業(yè)部 | 46 | 離子注入;注入機(jī);離子注入機(jī);半導(dǎo)體;電路 |
中國科學(xué)院微電子研究所 | 38 | 光刻;掩模;X射線光刻;電子束曝光;分辨率 |
中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與... | 34 | 光柵;MEMS;刻蝕;光刻;傳感 |
山東大學(xué) | 29 | 電子束;電子束曝光;曝光機(jī);電子束光刻;電子束曝光機(jī) |
山東工業(yè)大學(xué) | 28 | 電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);電子束;電路 |
華中理工大學(xué) | 26 | 刻蝕;濺射;半導(dǎo)體;等離子體;離子束 |
《微細(xì)加工技術(shù)》雜志是由中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所主辦的雙月刊,審稿周期預(yù)計為3-6個月。該雜志的欄目設(shè)置豐富多樣,涵蓋綜述、電子束技術(shù)、離子束技術(shù)、光子束技術(shù)、薄膜技術(shù)、微機(jī)械加工技術(shù)、納米技術(shù)等。
該雜志為學(xué)者們提供了一個交流學(xué)術(shù)成果和經(jīng)驗的平臺,發(fā)表的文章具有較高的學(xué)術(shù)水平和實踐價值,為讀者提供更多的實踐案例和行業(yè)信息,得到了廣大讀者的廣泛關(guān)注和引用。