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篇（1）

微電子技術(shù)已經(jīng)發(fā)展的越來越廣泛，已經(jīng)應(yīng)用到生活中的各個(gè)領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體、集成電路技術(shù)的發(fā)展的越來越快，繼續(xù)研究半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論是非常重要的。目前,大多數(shù)高校工科學(xué)生現(xiàn)在都重視做實(shí)驗(yàn)而忽視了理論的發(fā)展,而對于微電子學(xué)專業(yè)的學(xué)生來說,是重視電路的設(shè)計(jì)而忽視了半導(dǎo)體的發(fā)展，所以，學(xué)生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的積極性并不高,這與教學(xué)課程設(shè)計(jì)有很大的關(guān)系，教學(xué)中理論聯(lián)系實(shí)際缺乏，教學(xué)方法單一等都是造成學(xué)生積極性不高的原因。而半導(dǎo)體物理是微電子學(xué)專業(yè)一門重要的專業(yè)基礎(chǔ)課，主要內(nèi)容包括能帶的概念、本證光譜和能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)電子態(tài)、載流子運(yùn)輸、半導(dǎo)體表面和界面、非晶態(tài)半導(dǎo)體、非平衡載流子和運(yùn)動規(guī)律等基本概念和理論，這些知識為學(xué)生后面進(jìn)行相關(guān)學(xué)科的學(xué)習(xí)奠定了基礎(chǔ)。在半導(dǎo)體物理的專業(yè)實(shí)驗(yàn)課上開展諸如半導(dǎo)體電阻率、非平衡少數(shù)載流子壽命、電容電壓特性和霍爾遷移率測量等簡單的測試性實(shí)驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)過程中，實(shí)驗(yàn)的操作和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的處理過于簡單化，而且，實(shí)驗(yàn)時(shí)長安排不妥，學(xué)生往往用不到一半的時(shí)間就可以完成全部內(nèi)容，所以，實(shí)際上，學(xué)生在實(shí)驗(yàn)過程中收獲的并不是很多。綜上所述，在半導(dǎo)體物理的教學(xué)過程中還存在一些不足需要改進(jìn)，內(nèi)容如下:（一）基礎(chǔ)知識掌握不牢固。半導(dǎo)體物理涉及的內(nèi)容包括固體物理、量子力學(xué)等多門學(xué)科。這樣學(xué)生所學(xué)知識點(diǎn)變得更多，頭緒不清，不知道什么是重點(diǎn)，對基本概念的理解更是不清不楚，且不能將所學(xué)的知識融會貫通。（二）教材上的內(nèi)容不能隨發(fā)展而變。也就是說教材的教學(xué)內(nèi)容更新已經(jīng)跟不上半導(dǎo)體相關(guān)科學(xué)知識的飛速發(fā)展。因?yàn)榘雽?dǎo)體學(xué)科領(lǐng)域極速發(fā)展,不斷涌現(xiàn)新理論和新成果。（三）教學(xué)枯燥無味。只靠教師口述教學(xué)內(nèi)容會讓學(xué)生感覺內(nèi)容枯燥、缺乏學(xué)習(xí)興趣。教學(xué)內(nèi)容抽象化學(xué)生被強(qiáng)加灌輸知識，導(dǎo)致學(xué)習(xí)者在學(xué)習(xí)方面缺乏主動性和創(chuàng)造性。（四）學(xué)生自主學(xué)習(xí)主管能動性差?，F(xiàn)在的教學(xué)模式顯得被動、單一，這樣的教學(xué)模式只會導(dǎo)致學(xué)生學(xué)習(xí)興趣不高，自主學(xué)習(xí)和主動探索的能力差。（五）學(xué)生動手能力差。實(shí)驗(yàn)課的設(shè)置較少，學(xué)生動手的機(jī)會也就少了，導(dǎo)致學(xué)生缺乏創(chuàng)新精神。半導(dǎo)體物理的學(xué)習(xí)強(qiáng)調(diào)理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，但目前開展的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容單一、實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)固化，感覺不到學(xué)生對實(shí)驗(yàn)的融入，不僅無法引起學(xué)生學(xué)習(xí)理論課的興趣，也無法達(dá)到訓(xùn)練學(xué)生創(chuàng)新性的目的。我們探索并實(shí)踐了將研究性學(xué)習(xí)思想引入到半導(dǎo)體物理的教學(xué)活動中[1]，重視主體性和創(chuàng)造性價(jià)值的培養(yǎng)。以此方式來解決目前半導(dǎo)體物理教學(xué)中存在的這些問題，具體的改革如下：

一教師教學(xué)觀念的轉(zhuǎn)變是實(shí)施研究性學(xué)習(xí)的前提

半導(dǎo)體物理的特點(diǎn)是概念多，理論多，物理模型抽象，不易理解，在課本上上學(xué)習(xí)，學(xué)生會感到內(nèi)容枯燥，缺少直觀性和形象性，學(xué)習(xí)起來比較困難。因此，教師想盡其所能改變傳統(tǒng)的教育方式，在教學(xué)中進(jìn)行專題講座、分組討論、充分利用PPT，flash等多媒體軟件，安排學(xué)生針對具體研究問題進(jìn)行研究實(shí)踐等教學(xué)形式，轉(zhuǎn)變教學(xué)觀念，改變學(xué)習(xí)方式和狀態(tài)，把學(xué)生置于學(xué)習(xí)的主體地位，創(chuàng)設(shè)使學(xué)生主動參與的教學(xué)情景，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)的主動性[2]。

二加強(qiáng)課程建設(shè)，根據(jù)專業(yè)特點(diǎn)及科技發(fā)展的需要

合理的安排教學(xué)內(nèi)容，講課內(nèi)容做到豐富、全面，知識點(diǎn)講解透徹，同時(shí)了解行業(yè)發(fā)展動態(tài)半導(dǎo)體物理學(xué)教材采用劉恩科主編的《半導(dǎo)體物理學(xué)》第七版，結(jié)合我校微電子學(xué)專業(yè)的具體情況，我們對該書的課內(nèi)精講教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行了整合。首先把握好整體知識結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上突出教學(xué)重點(diǎn)。（一）首先做好先修知識的銜接半導(dǎo)體前五章為理論基礎(chǔ)的部分，主要講述了半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)，雜質(zhì)和能級缺陷，載流子的統(tǒng)計(jì)分布，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性與非平衡載流子，在此基礎(chǔ)上闡述了電子的有效質(zhì)量，費(fèi)米能級，遷移率，非平衡載流子壽命等基本概念。第一章和第四章的知識點(diǎn)包括晶體結(jié)構(gòu)、晶面、晶向、晶格振動、能帶理論等，講授新課之前將涉及到的知識點(diǎn)讓學(xué)生課下進(jìn)行自主學(xué)習(xí)。如果有不理解的內(nèi)容可通過課下答疑的方式進(jìn)行輔導(dǎo)。（二）重要的知識要精細(xì)解讀教師在課堂授課的時(shí)候要明確本次課程學(xué)習(xí)的主線，在主線中穿插重要的概念和主要知識點(diǎn)，復(fù)雜公式詳細(xì)的推導(dǎo)過程被弱化，力求想法清楚、定義明確、難點(diǎn)清晰。比如在教師教授第三章的課程時(shí)，學(xué)習(xí)載流子濃度，應(yīng)該讓學(xué)生清楚的明白要先計(jì)算的是狀態(tài)密度，然后再計(jì)算費(fèi)米分布函數(shù)或者玻爾茲曼函數(shù)，最后計(jì)算出平衡時(shí)的空穴和電子的濃度。（三）最新的知識擴(kuò)充因?yàn)榉浅Ｑ杆侔l(fā)展的現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)，以及不斷拓展的技術(shù)研究方向，半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)知識更新也很快，因此，與時(shí)俱進(jìn)是教師應(yīng)該做到的，時(shí)刻關(guān)注研究熱點(diǎn)與科技前沿，更要將教學(xué)內(nèi)容合理安排。對于本書中的第七章、第九章和第十章書本上的知識點(diǎn)不過多講解，只做基礎(chǔ)的介紹即可，主要講解基本理論和基本概念，比較難的內(nèi)容只做一般性的了解。教師要合理取舍教學(xué)內(nèi)容，與其他課程的重疊內(nèi)容要壓縮，更要將教材中的陳舊知識刪除。（四）實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和方式的轉(zhuǎn)變?yōu)檎{(diào)動學(xué)生實(shí)驗(yàn)的積極性，增加難度，我們將工藝實(shí)驗(yàn)中得到的產(chǎn)品用到測試實(shí)驗(yàn)中，既能夠驗(yàn)證工藝實(shí)驗(yàn)的成果，也能夠分析更多的實(shí)驗(yàn)參數(shù)，達(dá)到將理論課和實(shí)驗(yàn)課內(nèi)容更好結(jié)合的目的，還能鍛煉學(xué)生對實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析和處理的能力。在實(shí)驗(yàn)方面也進(jìn)行了研究性學(xué)習(xí)的探索，努力引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行研究性實(shí)驗(yàn)。

三引入研究性學(xué)習(xí)思想，培養(yǎng)學(xué)生文獻(xiàn)調(diào)研能力

網(wǎng)絡(luò)是知識的海洋，讓學(xué)生利用網(wǎng)絡(luò)來學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理相關(guān)資料提高自主學(xué)習(xí)性以及運(yùn)用所學(xué)的知識進(jìn)行自主創(chuàng)新的能力是非常重要的。把學(xué)生被動式學(xué)習(xí)的模式轉(zhuǎn)化為以學(xué)生為主導(dǎo)的教學(xué)方式，讓學(xué)生融入所設(shè)問題的情景中，引出科研中遇到的問題，并對某些問題進(jìn)行討論。在文獻(xiàn)調(diào)研的過程中，讓學(xué)生充分、及時(shí)地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)動態(tài)，學(xué)會“詳讀”和“粗讀”文獻(xiàn)，多多積累文獻(xiàn)中涉及到半導(dǎo)體物理的知識，加強(qiáng)對課堂所學(xué)內(nèi)容的理解，激發(fā)學(xué)生的創(chuàng)新思維。讀過文獻(xiàn)后要做出相應(yīng)的總結(jié)匯報(bào)，可以以PPT的形式給出，方便其他人對文獻(xiàn)的理解，學(xué)生也可以嘗試到作為一名老師的感覺。這樣師生互換角色，在教師的引導(dǎo)下使學(xué)生成為富有主動性的探究與學(xué)習(xí)者。四將科研融入到教學(xué)中把科研和教學(xué)結(jié)合起來，讓學(xué)生明白自己學(xué)習(xí)的知識可以具體應(yīng)用到生產(chǎn)生活的哪些方面。我們可以做的有：（1）針對課堂教學(xué)中講到的半導(dǎo)體中的物理現(xiàn)象或者概念應(yīng)用到某一個(gè)器件的制造中，激勵學(xué)生通過課程設(shè)計(jì)過程的方式參與到學(xué)院老師的項(xiàng)目中，通過具體的研究工作，將研究結(jié)果撰寫成研究論文。（2）將已取得的科研成果作為新的教學(xué)內(nèi)容，充實(shí)到教學(xué)中去，使課堂上所講的知識和我們實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)、生活聯(lián)系起來，遠(yuǎn)離以往單一、抽象、枯燥的教學(xué)，使學(xué)生帶著問題來學(xué)習(xí)新知識，鼓勵學(xué)生參與真實(shí)科研項(xiàng)目的研究。以這兩種方式提高學(xué)生了解問題、剖析問題的能力，讓學(xué)生積極參與其中，把抽象的東西實(shí)物化，教學(xué)效果非常明顯。綜上所述，我們將以更新教學(xué)內(nèi)容、改變教學(xué)觀念、注重實(shí)驗(yàn)、實(shí)踐教學(xué)、培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新精神為目的進(jìn)行半導(dǎo)體物理的課程改革來解決教學(xué)過程中存在的一些問題。

作者:王月 李雪 張經(jīng)慧 單位:渤海大學(xué)

參考文獻(xiàn)

[1]喻思紅，范湘紅，趙小紅.研究性學(xué)習(xí)教學(xué)模式在課堂教學(xué)中的實(shí)踐及評價(jià)[J].中華護(hù)理雜志，2005，40(5):380-382.

篇（2）

關(guān)鍵詞

半導(dǎo)體材料;多晶硅;單晶硅;砷化鎵;氮化鎵

1前言

半導(dǎo)體材料是指電阻率在107Ωcm10-3Ωcm，界于金屬和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料[1]，支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的是美國和日本，其2002年的銷售收入分別為3189億美元和2320億美元[2]。近幾年來，我國電子信息產(chǎn)品以舉世矚目的速度發(fā)展，2002年銷售收入以1.4億人民幣居全球第3位，比上年增長20，產(chǎn)業(yè)規(guī)模是1997年的2.5倍，居國內(nèi)各工業(yè)部門首位[3]。半導(dǎo)體材料及應(yīng)用已成為衡量一個(gè)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、科技進(jìn)步和國防實(shí)力的重要標(biāo)志。

半導(dǎo)體材料的種類繁多，按化學(xué)組成分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體和固溶體半導(dǎo)體;按組成元素分為一元、二元、三元、多元等;按晶態(tài)可分為多晶、單晶和非晶;按應(yīng)用方式可分為體材料和薄膜材料。大部分半導(dǎo)體材料單晶制片后直接用于制造半導(dǎo)體材料，這些稱為“體材料”;相對應(yīng)的“薄膜材料”是在半導(dǎo)體材料或其它材料的襯底上生長的，具有顯著減少“體材料”難以解決的固熔體偏析問題、提高純度和晶體完整性、生長異質(zhì)結(jié)，能用于制造三維電路等優(yōu)點(diǎn)。許多新型半導(dǎo)體器件是在薄膜上制成的，制備薄膜的技術(shù)也在不斷發(fā)展。薄膜材料有同質(zhì)外延薄膜、異質(zhì)外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料;將砷化鎵、磷化銦、磷化鎵、砷化銦、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料;而將寬禁帶eg2.3ev的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料[4]。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。本文沿用此分類進(jìn)行介紹。

2主要半導(dǎo)體材料性質(zhì)及應(yīng)用

材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)，表1列出了主要半導(dǎo)體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況[5]。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長，禁帶寬度越大發(fā)射光波長越短藍(lán)光發(fā)射;禁帶寬度越小發(fā)射光波長越長。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導(dǎo)體性能越好。電子遷移速率決定半導(dǎo)體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導(dǎo)體高壓條件下的高頻工作性能。

硅材料具有儲量豐富、價(jià)格低廉、熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良、易于生長大尺寸高純度晶體等優(yōu)點(diǎn)，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95以上的半導(dǎo)體器件和99以上的集成電路ic是用硅材料制作的。在21世紀(jì)，可以預(yù)見它的主導(dǎo)和核心地位仍不會動搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。

砷化鎵材料的電子遷移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時(shí)處理光電信號，被公認(rèn)是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。同時(shí)，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。

gan材料的禁帶寬度為硅材料的3倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠(yuǎn)比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍(lán)綠光、紫外光的發(fā)光器件和探測器件。近年來取得了很大進(jìn)展，并開始進(jìn)入市場。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對較低的硅半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合gan薄膜生長的低成本襯底材料和大尺寸的gan體單晶生長工藝。

主要半導(dǎo)體材料的用途如表2所示?？梢灶A(yù)見以硅材料為主體、gaas半導(dǎo)體材料及新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。

3半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

3.1半導(dǎo)體硅材料

3.1.1多晶硅

多晶硅是制備單晶硅和太陽能電池的原料，主要生產(chǎn)方法為改良西門子法。目前全世界每年消耗約18000t25000t半導(dǎo)體級多晶硅。2001年全球多晶硅產(chǎn)能為23900t，生產(chǎn)高度集中于美、日、德3國。美國先進(jìn)硅公司和哈姆洛克公司產(chǎn)能均達(dá)6000t/a，德國瓦克化學(xué)公司和日本德山曹達(dá)公司產(chǎn)能超過3000t/a，日本三菱高純硅公司、美國memc公司和三菱多晶硅公司產(chǎn)能超過1000t/a，絕大多數(shù)世界市場由上述7家公司占有。2000年全球多晶硅需求為22000t，達(dá)到峰值，隨后全球半導(dǎo)體市場滑坡;2001年多晶硅實(shí)際產(chǎn)量為17900t，為產(chǎn)能的75左右。全球多晶硅市場供大于求，隨著半導(dǎo)體市場的恢復(fù)和太陽能用多晶硅的增長，多晶硅供需將逐步平衡。

我國多晶硅嚴(yán)重短缺。我國多晶硅工業(yè)起步于50年代，60年代實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。由于技術(shù)水平低、生產(chǎn)規(guī)模太小、環(huán)境污染嚴(yán)重、生產(chǎn)成本高，目前只剩下峨嵋半導(dǎo)體材料廠和洛陽單晶硅廠2個(gè)廠家生產(chǎn)多晶硅。2001年生產(chǎn)量為80t[7]，僅占世界產(chǎn)量的0.4，與當(dāng)今信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展和多晶硅的市場需求急劇增加極不協(xié)調(diào)。我國這種多晶硅供不應(yīng)求的局面還將持續(xù)下去。據(jù)專家預(yù)測，2005年國內(nèi)多晶硅年需求量約為756t，2010年為1302t。

峨嵋半導(dǎo)體材料廠和洛陽單晶硅廠1999年多晶硅生產(chǎn)能力分別為60t/a和20t/a。峨嵋半導(dǎo)體材料廠1998年建成的100t/a規(guī)模的多晶硅工業(yè)性生產(chǎn)示范線，提高了各項(xiàng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)，使我國擁有了多晶硅生產(chǎn)的自主知識產(chǎn)權(quán)。該廠正在積極進(jìn)行1000t/a多晶硅項(xiàng)目建設(shè)的前期工作。洛陽單晶硅廠擬將多晶硅產(chǎn)量擴(kuò)建至300t/a，目前處在可行性研究階段。

3.1.2單晶硅

生產(chǎn)單晶硅的工藝主要采用直拉法cz、磁場直拉法mcz、區(qū)熔法fz以及雙坩鍋拉晶法。硅晶片屬于資金密集型和技術(shù)密集型行業(yè)，在國際市場上產(chǎn)業(yè)相對成熟，市場進(jìn)入平穩(wěn)發(fā)展期，生產(chǎn)集中在少數(shù)幾家大公司，小型公司已經(jīng)很難插手其中。

目前國際市場單晶硅產(chǎn)量排名前5位的公司分別是日本信越化學(xué)公司、德瓦克化學(xué)公司、日本住友金屬公司、美國memc公司和日本三菱材料公司。這5家公司2000年硅晶片的銷售總額為51.47億元，占全球銷售額的70.9，其中的3家日本公司占據(jù)了市場份額的46.1，表明日本在全球硅晶片行業(yè)中占據(jù)了主導(dǎo)地位[8]。

集成電路高集成度、微型化和低成本的要求對半導(dǎo)體單晶材料的電阻率均勻性、金屬雜質(zhì)含量、微缺陷、晶片平整度、表面潔凈度等提出了更加苛刻的要求詳見文獻(xiàn)[8]，晶片大尺寸和高質(zhì)量成為必然趨勢。目前全球主流硅晶片已由直徑8英寸逐漸過渡到12英寸晶片，研制水平達(dá)到16英寸。

我國單晶硅技術(shù)及產(chǎn)業(yè)與國外差距很大，主要產(chǎn)品為6英寸以下，8英寸少量生產(chǎn)，12英寸開始研制。隨著半導(dǎo)體分立元件和硅光電池用低檔和廉價(jià)硅材料需求的增加，我國單晶硅產(chǎn)量逐年增加。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2001年我國半導(dǎo)體硅材料的銷售額達(dá)9.06億元，年均增長26.4。單晶硅產(chǎn)量為584t，拋光片產(chǎn)量5183萬平方英寸，主要規(guī)格為3英寸6英寸，6英寸正片已供應(yīng)集成電路企業(yè)，8英寸主要用作陪片。單晶硅出口比重大，出口額為4648萬美元，占總銷售額的42.6，較2000年增長了5.3[7]。目前，國外8英寸ic生產(chǎn)線正向我國戰(zhàn)略性移動，我國新建和在建的f8英寸ic生產(chǎn)線有近10條之多，對大直徑高質(zhì)量的硅晶片需求十分強(qiáng)勁，而國內(nèi)供給明顯不足，基本依賴進(jìn)口，我國硅晶片的技術(shù)差距和結(jié)構(gòu)不合理可見一斑。在現(xiàn)有形勢和優(yōu)勢面前發(fā)展我國的硅單晶和ic技術(shù)面臨著巨大的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

我國硅晶片生產(chǎn)企業(yè)主要有北京有研硅股、浙大海納公司、洛陽單晶硅廠、上海晶華電子、浙江硅峰電子公司和河北寧晉單晶硅基地等。有研硅股在大直徑硅單晶的研制方面一直居國內(nèi)領(lǐng)先地位，先后研制出我國第一根6英寸、8英寸和12英寸硅單晶，單晶硅在國內(nèi)市場占有率為40。2000年建成國內(nèi)第一條可滿足0.25μm線寬集成電路要求的8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線;在北京市林河工業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)了區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)基地，一期工程計(jì)劃投資1.8億元，年產(chǎn)25t區(qū)熔硅和40t重?fù)缴楣鑶尉?，?jì)劃2003年6月底完工;同時(shí)承擔(dān)了投資達(dá)1.25億元的863項(xiàng)目重中之重課題“12英寸硅單晶拋光片的研制”。浙大海納主要從事單晶硅、半導(dǎo)體器件的開發(fā)、制造及自動化控制系統(tǒng)和儀器儀表開發(fā)，近幾年實(shí)現(xiàn)了高成長性的高速發(fā)展。

3.2砷化鎵材料

用于大量生產(chǎn)砷化鎵晶體的方法是傳統(tǒng)的lec法液封直拉法和hb法水平舟生產(chǎn)法。國外開發(fā)了兼具以上2種方法優(yōu)點(diǎn)的vgf法垂直梯度凝固法、vb法垂直布里支曼法和vcz法蒸氣壓控制直拉法，成功制備出4英寸6英寸大直徑gaas單晶。各種方法比較詳見表3。

移動電話用電子器件和光電器件市場快速增長的要求，使全球砷化鎵晶片市場以30的年增長率迅速形成數(shù)十億美元的大市場，預(yù)計(jì)未來20年砷化鎵市場都具有高增長性。日本是最大的生產(chǎn)國和輸出國，占世界市場的7080;美國在1999年成功地建成了3條6英寸砷化鎵生產(chǎn)線，在砷化鎵生產(chǎn)技術(shù)上領(lǐng)先一步。日本住友電工是世界最大的砷化鎵生產(chǎn)和銷售商，年產(chǎn)gaas單晶30t。美國axt公司是世界最大的vgf

gaas材料生產(chǎn)商[8]。世界gaas單晶主要生產(chǎn)商情況見表4。國際上砷化鎵市場需求以4英寸單晶材料為主，而6英寸單晶材料產(chǎn)量和市場需求快速增加，已占據(jù)35以上的市場份額。研制和小批量生產(chǎn)水平達(dá)到8英寸。

我國gaas材料單晶以2英寸3英寸為主，

4英寸處在產(chǎn)業(yè)化前期，研制水平達(dá)6英寸。目前4英寸以上晶片及集成電路gaas晶片主要依賴進(jìn)口。砷化鎵生產(chǎn)主要原材料為砷和鎵。雖然我國是砷和鎵的資源大國，但僅能生產(chǎn)品位較低的砷、鎵材料6n以下純度，主要用于生產(chǎn)光電子器件。集成電路用砷化鎵材料的砷和鎵原料要求達(dá)7n，基本靠進(jìn)口解決。

國內(nèi)gaas材料主要生產(chǎn)單位為中科鎵英、有研硅股、信息產(chǎn)業(yè)部46所、55所等。主要競爭對手來自國外。中科鎵英2001年起計(jì)劃投入近2億資金進(jìn)行砷化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化，初期計(jì)劃規(guī)模為4英寸6英寸砷化鎵單晶晶片5萬片8萬片，4英寸6英寸分子束外延砷化鎵基材料2萬片3萬片，目前該項(xiàng)目仍在建設(shè)期。目前國內(nèi)砷化鎵材料主要由有研硅股供應(yīng)，2002年銷售gaas晶片8萬片。我國在努力縮小gaas技術(shù)水平和生產(chǎn)規(guī)模的同時(shí)，應(yīng)重視具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)，發(fā)展我國的砷化鎵產(chǎn)業(yè)。

3.3氮化鎵材料

gan半導(dǎo)體材料的商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，其在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的特性一開始就吸引了半導(dǎo)體開發(fā)人員的極大興趣。但gan的生長技術(shù)和器件制造工藝直到近幾年才取得了商業(yè)應(yīng)用的實(shí)質(zhì)進(jìn)步和突破。由于gan半導(dǎo)體器件在光電子器件和光子器件領(lǐng)域廣闊的應(yīng)用前景，其廣泛應(yīng)用預(yù)示著光電信息乃至光子信息時(shí)代的來臨。

2000年9月美國kyma公司利用aln作襯底，開發(fā)出2英寸和4英寸gan新工藝;2001年1月美國nitronex公司在4英寸硅襯底上制造gan基晶體管獲得成功;2001年8月臺灣powdec公司宣布將規(guī)模生產(chǎn)4英寸gan外延晶片。gan基器件和產(chǎn)品開發(fā)方興未艾。目前進(jìn)入藍(lán)光激光器開發(fā)的公司包括飛利浦、索尼、日立、施樂和惠普等。包括飛利浦、通用等光照及汽車行業(yè)的跨國公司正積極開發(fā)白光照明和汽車用gan基led發(fā)光二極管產(chǎn)品。涉足gan基電子器件開發(fā)最為活躍的企業(yè)包括cree、rfmicrodevice以及nitronex等公司。

目前，日本、美國等國家紛紛進(jìn)行應(yīng)用于照明gan基白光led的產(chǎn)業(yè)開發(fā)，計(jì)劃于2015年-2020年取代白熾燈和日光燈，引起新的照明革命。據(jù)美國市場調(diào)研公司strstegiesunlimited分析數(shù)據(jù)，2001年世界gan器件市場接近7億美元，還處于發(fā)展初期。該公司預(yù)測即使最保守發(fā)展，2009年世界gan器件市場將達(dá)到48億美元的銷售額。

因gan材料尚處于產(chǎn)業(yè)初期，我國與世界先進(jìn)水平差距相對較小。深圳方大集團(tuán)在國家“超級863計(jì)劃”項(xiàng)目支持下，2001年與中科院半導(dǎo)體等單位合作，首期投資8千萬元進(jìn)行g(shù)an基藍(lán)光led產(chǎn)業(yè)化工作，率先在我國實(shí)現(xiàn)氮化鎵基材料產(chǎn)業(yè)化并成功投放市場。方大公司已批量生產(chǎn)出高性能gan芯片，用于封裝成藍(lán)、綠、紫、白光led，成為我國第一家具有規(guī)?；芯俊㈤_發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵基半導(dǎo)體系列產(chǎn)品、并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)。中科院半導(dǎo)體所自主開發(fā)的gan激光器2英寸外延片生產(chǎn)設(shè)備，打破了國外關(guān)鍵設(shè)備部件的封鎖。我國應(yīng)對大尺寸gan生長技術(shù)、器件及設(shè)備繼續(xù)研究，爭取在gan等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一定市場份額和地位。

4結(jié)語

不可否認(rèn)，微電子時(shí)代將逐步過渡到光電子時(shí)代，最終發(fā)展到光子時(shí)代。預(yù)計(jì)到2010年或2014年，硅材料的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展將走向極限，第二代和第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)將成為研究和發(fā)展的重點(diǎn)。我國政府決策部門、半導(dǎo)體科研單位和企業(yè)在現(xiàn)有的技術(shù)、市場和發(fā)展趨勢面前應(yīng)把握歷史機(jī)遇，迎接挑戰(zhàn)。

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篇（3）

1半導(dǎo)體材料的戰(zhàn)略地位

上世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命；上世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想，使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強(qiáng)大的新型器件與電路，必將深刻地影響著世界的政治、經(jīng)濟(jì)格局和軍事對抗的形式，徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞健?/p>

2幾種主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢

2.1硅材料

從提高硅集成電路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）單晶的直徑和減小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si發(fā)展的總趨勢。目前直徑為8英寸（200mm）的Si單晶已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，基于直徑為12英寸（300mm）硅片的集成電路（IC‘s）技術(shù)正處在由實(shí)驗(yàn)室向工業(yè)生產(chǎn)轉(zhuǎn)變中。目前300mm，0.18μm工藝的硅ULSI生產(chǎn)線已經(jīng)投入生產(chǎn)，300mm，0.13μm工藝生產(chǎn)線也將在2003年完成評估。18英寸重達(dá)414公斤的硅單晶和18英寸的硅園片已在實(shí)驗(yàn)室研制成功，直徑27英寸硅單晶研制也正在積極籌劃中。

從進(jìn)一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制適合于硅深亞微米乃至納米工藝所需的大直徑硅外延片會成為硅材料發(fā)展的主流。另外，SOI材料，包括智能剝離（Smartcut）和SIMOX材料等也發(fā)展很快。目前，直徑8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在開發(fā)中。

理論分析指出30nm左右將是硅MOS集成電路線寬的“極限”尺寸。這不僅是指量子尺寸效應(yīng)對現(xiàn)有器件特性影響所帶來的物理限制和光刻技術(shù)的限制問題，更重要的是將受硅、SiO2自身性質(zhì)的限制。盡管人們正在積極尋找高K介電絕緣材料（如用Si3N4等來替代SiO2），低K介電互連材料，用Cu代替Al引線以及采用系統(tǒng)集成芯片技術(shù)等來提高ULSI的集成度、運(yùn)算速度和功能，但硅將最終難以滿足人類不斷的對更大信息量需求。為此，人們除尋求基于全新原理的量子計(jì)算和DNA生物計(jì)算等之外，還把目光放在以GaAs、InP為基的化合物半導(dǎo)體材料，特別是二維超晶格、量子阱，一維量子線與零維量子點(diǎn)材料和可與硅平面工藝兼容GeSi合金材料等，這也是目前半導(dǎo)體材料研發(fā)的重點(diǎn)。

2.2GaAs和InP單晶材料

GaAs和InP與硅不同，它們都是直接帶隙材料，具有電子飽和漂移速度高，耐高溫，抗輻照等特點(diǎn)；在超高速、超高頻、低功耗、低噪音器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨(dú)特的優(yōu)勢。

目前，世界GaAs單晶的總年產(chǎn)量已超過200噸，其中以低位錯密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生長的2－3英寸的導(dǎo)電GaAs襯底材料為主；近年來，為滿足高速移動通信的迫切需求，大直徑（4，6和8英寸）的SI－GaAs發(fā)展很快。美國莫托羅拉公司正在籌建6英寸的SI－GaAs集成電路生產(chǎn)線。InP具有比GaAs更優(yōu)越的高頻性能，發(fā)展的速度更快，但研制直徑3英寸以上大直徑的InP單晶的關(guān)鍵技術(shù)尚未完全突破，價(jià)格居高不下。

GaAs和InP單晶的發(fā)展趨勢是：

（1）。增大晶體直徑，目前4英寸的SI－GaAs已用于生產(chǎn)，預(yù)計(jì)本世紀(jì)初的頭幾年直徑為6英寸的SI－GaAs也將投入工業(yè)應(yīng)用。

（2）。提高材料的電學(xué)和光學(xué)微區(qū)均勻性。

（3）。降低單晶的缺陷密度，特別是位錯。

（4）。GaAs和InP單晶的VGF生長技術(shù)發(fā)展很快，很有可能成為主流技術(shù)。

2.3半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料

半導(dǎo)體超薄層微結(jié)構(gòu)材料是基于先進(jìn)生長技術(shù)（MBE，MOCVD）的新一代人工構(gòu)造材料。它以全新的概念改變著光電子和微電子器件的設(shè)計(jì)思想，出現(xiàn)了“電學(xué)和光學(xué)特性可剪裁”為特征的新范疇，是新一代固態(tài)量子器件的基礎(chǔ)材料。

（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和應(yīng)變補(bǔ)償材料體系已發(fā)展得相當(dāng)成熟，已成功地用來制造超高速，超高頻微電子器件和單片集成電路。高電子遷移率晶體管（HEMT），贗配高電子遷移率晶體管（P－HEMT）器件最好水平已達(dá)fmax=600GHz，輸出功率58mW，功率增益6.4db；雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）的最高頻率fmax也已高達(dá)500GHz，HEMT邏輯電路研制也發(fā)展很快。基于上述材料體系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探測器，紅、黃、橙光發(fā)光二極管和紅光激光器以及大功率半導(dǎo)體量子阱激光器已商品化；表面光發(fā)射器件和光雙穩(wěn)器件等也已達(dá)到或接近達(dá)到實(shí)用化水平。目前，研制高質(zhì)量的1.5μm分布反饋（DFB）激光器和電吸收（EA）調(diào)制器單片集成InP基多量子阱材料和超高速驅(qū)動電路所需的低維結(jié)構(gòu)材料是解決光纖通信瓶頸問題的關(guān)鍵，在實(shí)驗(yàn)室西門子公司已完成了80×40Gbps傳輸40km的實(shí)驗(yàn)。另外，用于制造準(zhǔn)連續(xù)兆瓦級大功率激光陣列的高質(zhì)量量子阱材料也受到人們的重視。

雖然常規(guī)量子阱結(jié)構(gòu)端面發(fā)射激光器是目前光電子領(lǐng)域占統(tǒng)治地位的有源器件，但由于其有源區(qū)極薄（～0.01μm）端面光電災(zāi)變損傷，大電流電熱燒毀和光束質(zhì)量差一直是此類激光器的性能改善和功率提高的難題。采用多有源區(qū)量子級聯(lián)耦合是解決此難題的有效途徑之一。我國早在1999年，就研制成功980nmInGaAs帶間量子級聯(lián)激光器，輸出功率達(dá)5W以上；2000年初，法國湯姆遜公司又報(bào)道了單個(gè)激光器準(zhǔn)連續(xù)輸出功率超過10瓦好結(jié)果。最近，我國的科研工作者又提出并開展了多有源區(qū)縱向光耦合垂直腔面發(fā)射激光器研究，這是一種具有高增益、極低閾值、高功率和高光束質(zhì)量的新型激光器，在未來光通信、光互聯(lián)與光電信息處理方面有著良好的應(yīng)用前景。

為克服PN結(jié)半導(dǎo)體激光器的能隙對激光器波長范圍的限制，1994年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了基于量子阱內(nèi)子帶躍遷和阱間共振隧穿的量子級聯(lián)激光器，突破了半導(dǎo)體能隙對波長的限制。自從1994年InGaAs／InAIAs／InP量子級聯(lián)激光器（QCLs）發(fā)明以來，Bell實(shí)驗(yàn)室等的科學(xué)家，在過去的7年多的時(shí)間里，QCLs在向大功率、高溫和單膜工作等研究方面取得了顯著的進(jìn)展。2001年瑞士Neuchatel大學(xué)的科學(xué)家采用雙聲子共振和三量子阱有源區(qū)結(jié)構(gòu)使波長為9.1μm的QCLs的工作溫度高達(dá)312K，連續(xù)輸出功率3mW.量子級聯(lián)激光器的工作波長已覆蓋近紅外到遠(yuǎn)紅外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光譜、超高靈敏氣體傳感器、高速調(diào)制器和無線光學(xué)連接等方面顯示出重要的應(yīng)用前景。中科院上海微系統(tǒng)和信息技術(shù)研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子級聯(lián)激光器；中科院半導(dǎo)體研究所于2000年又研制成功3.7μm室溫準(zhǔn)連續(xù)應(yīng)變補(bǔ)償量子級聯(lián)激光器，使我國成為能研制這類高質(zhì)量激光器材料為數(shù)不多的幾個(gè)國家之一。

目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作為超薄層微結(jié)構(gòu)材料發(fā)展的主流方向，正從直徑3英寸向4英寸過渡；生產(chǎn)型的MBE和M0CVD設(shè)備已研制成功并投入使用，每臺年生產(chǎn)能力可高達(dá)3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英國卡迪夫的MOCVD中心，法國的PicogigaMBE基地，美國的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有這種外延材料出售。生產(chǎn)型MBE和MOCVD設(shè)備的成熟與應(yīng)用，必然促進(jìn)襯底材料設(shè)備和材料評價(jià)技術(shù)的發(fā)展。

（2）硅基應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。

硅基光、電器件集成一直是人們所追求的目標(biāo)。但由于硅是間接帶隙，如何提高硅基材料發(fā)光效率就成為一個(gè)亟待解決的問題。雖經(jīng)多年研究，但進(jìn)展緩慢。人們目前正致力于探索硅基納米材料（納米Si／SiO2），硅基SiGeC體系的Si1－yCy/Si1－xGex低維結(jié)構(gòu)，Ge／Si量子點(diǎn)和量子點(diǎn)超晶格材料，Si／SiC量子點(diǎn)材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED發(fā)光器件和有關(guān)納米硅的受激放大現(xiàn)象的報(bào)道，使人們看到了一線希望。

另一方面，GeSi／Si應(yīng)變層超晶格材料，因其在新一代移動通信上的重要應(yīng)用前景，而成為目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止頻率已達(dá)200GHz，HBT最高振蕩頻率為160GHz，噪音在10GHz下為0.9db，其性能可與GaAs器件相媲美。

盡管GaAs／Si和InP／Si是實(shí)現(xiàn)光電子集成理想的材料體系，但由于晶格失配和熱膨脹系數(shù)等不同造成的高密度失配位錯而導(dǎo)致器件性能退化和失效，防礙著它的使用化。最近，Motolora等公司宣稱，他們在12英寸的硅襯底上，用鈦酸鍶作協(xié)變層（柔性層），成功的生長了器件級的GaAs外延薄膜，取得了突破性的進(jìn)展。

2.4一維量子線、零維量子點(diǎn)半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料

基于量子尺寸效應(yīng)、量子干涉效應(yīng)，量子隧穿效應(yīng)和庫侖阻效應(yīng)以及非線性光學(xué)效應(yīng)等的低維半導(dǎo)體材料是一種人工構(gòu)造（通過能帶工程實(shí)施）的新型半導(dǎo)體材料，是新一代微電子、光電子器件和電路的基礎(chǔ)。它的發(fā)展與應(yīng)用，極有可能觸發(fā)新的技術(shù)革命。

目前低維半導(dǎo)體材料生長與制備主要集中在幾個(gè)比較成熟的材料體系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在納米微電子和光電子研制方面取得了重大進(jìn)展。俄羅斯約飛技術(shù)物理所MBE小組，柏林的俄德聯(lián)合研制小組和中科院半導(dǎo)體所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的MBE小組等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子點(diǎn)激光器，工作波長lμm左右，單管室溫連續(xù)輸出功率高達(dá)3.6～4W.特別應(yīng)當(dāng)指出的是我國上述的MBE小組，2001年通過在高功率量子點(diǎn)激光器的有源區(qū)材料結(jié)構(gòu)中引入應(yīng)力緩解層，抑制了缺陷和位錯的產(chǎn)生，提高了量子點(diǎn)激光器的工作壽命，室溫下連續(xù)輸出功率為1W時(shí)工作壽命超過5000小時(shí)，這是大功率激光器的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，至今未見國外報(bào)道。

在單電子晶體管和單電子存貯器及其電路的研制方面也獲得了重大進(jìn)展，1994年日本NTT就研制成功溝道長度為30nm納米單電子晶體管，并在150K觀察到柵控源－漏電流振蕩；1997年美國又報(bào)道了可在室溫工作的單電子開關(guān)器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了128Mb的單電子存貯器原型樣機(jī)的制造，這是在單電子器件在高密度存貯電路的應(yīng)用方面邁出的關(guān)鍵一步。目前，基于量子點(diǎn)的自適應(yīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)，單光子源和應(yīng)用于量子計(jì)算的量子比特的構(gòu)建等方面的研究也正在進(jìn)行中。

與半導(dǎo)體超晶格和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的生長制備相比，高度有序的半導(dǎo)體量子線的制備技術(shù)難度較大。中科院半導(dǎo)體所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的MBE小組，在繼利用MBE技術(shù)和SK生長模式，成功地制備了高空間有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子線和量子線超晶格結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，對InAs／InAlAs量子線超晶格的空間自對準(zhǔn)（垂直或斜對準(zhǔn)）的物理起因和生長控制進(jìn)行了研究，取得了較大進(jìn)展。

王中林教授領(lǐng)導(dǎo)的喬治亞理工大學(xué)的材料科學(xué)與工程系和化學(xué)與生物化學(xué)系的研究小組，基于無催化劑、控制生長條件的氧化物粉末的熱蒸發(fā)技術(shù)，成功地合成了諸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半導(dǎo)體氧化物納米帶，它們與具有圓柱對稱截面的中空納米管或納米線不同，這些原生的納米帶呈現(xiàn)出高純、結(jié)構(gòu)均勻和單晶體，幾乎無缺陷和位錯；納米線呈矩形截面，典型的寬度為20－300nm，寬厚比為5－10，長度可達(dá)數(shù)毫米。這種半導(dǎo)體氧化物納米帶是一個(gè)理想的材料體系，可以用來研究載流子維度受限的輸運(yùn)現(xiàn)象和基于它的功能器件制造。香港城市大學(xué)李述湯教授和瑞典隆德大學(xué)固體物理系納米中心的LarsSamuelson教授領(lǐng)導(dǎo)的小組，分別在SiO2／Si和InAs／InP半導(dǎo)體量子線超晶格結(jié)構(gòu)的生長制各方面也取得了重要進(jìn)展。

低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備的方法很多，主要有：微結(jié)構(gòu)材料生長和精細(xì)加工工藝相結(jié)合的方法，應(yīng)變自組裝量子線、量子點(diǎn)材料生長技術(shù)，圖形化襯底和不同取向晶面選擇生長技術(shù)，單原子操縱和加工技術(shù)，納米結(jié)構(gòu)的輻照制備技術(shù)，及其在沸石的籠子中、納米碳管和溶液中等通過物理或化學(xué)方法制備量子點(diǎn)和量子線的技術(shù)等。目前發(fā)展的主要趨勢是尋找原子級無損傷加工方法和納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)變自組裝可控生長技術(shù)，以求獲得大小、形狀均勻、密度可控的無缺陷納米結(jié)構(gòu)。

2.5寬帶隙半導(dǎo)體材料

寬帶隙半導(dǎo)體材主要指的是金剛石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶體等，特別是SiC、GaN和金剛石薄膜等材料，因具有高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度和大臨界擊穿電壓等特點(diǎn)，成為研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導(dǎo)體微電子器件和電路的理想材料；在通信、汽車、航空、航天、石油開采以及國防等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。另外，III族氮化物也是很好的光電子材料，在藍(lán)、綠光發(fā)光二極管（LED）和紫、藍(lán)、綠光激光器（LD）以及紫外探測器等應(yīng)用方面也顯示了廣泛的應(yīng)用前景。隨著1993年GaN材料的P型摻雜突破，GaN基材料成為藍(lán)綠光發(fā)光材料的研究熱點(diǎn)。目前，GaN基藍(lán)綠光發(fā)光二極管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大輸出功率為0.5W.在微電子器件研制方面，GaN基FET的最高工作頻率（fmax）已達(dá)140GHz，fT=67GHz，跨導(dǎo)為260ms／mm；HEMT器件也相繼問世，發(fā)展很快。此外，256×256GaN基紫外光電焦平面陣列探測器也已研制成功。特別值得提出的是，日本Sumitomo電子工業(yè)有限公司2000年宣稱，他們采用熱力學(xué)方法已研制成功2英寸GaN單晶材料，這將有力的推動藍(lán)光激光器和GaN基電子器件的發(fā)展。另外，近年來具有反常帶隙彎曲的窄禁帶InAsN，InGaAsN，GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重視，這是因?yàn)樗鼈冊陂L波長光通信用高T0光源和太陽能電池等方面顯示了重要應(yīng)用前景。

以Cree公司為代表的體SiC單晶的研制已取得突破性進(jìn)展，2英寸的4H和6HSiC單晶與外延片，以及3英寸的4HSiC單晶己有商品出售；以SiC為GaN基材料襯低的藍(lán)綠光LED業(yè)已上市，并參于與以藍(lán)寶石為襯低的GaN基發(fā)光器件的竟?fàn)?。其他SiC相關(guān)高溫器件的研制也取得了長足的進(jìn)步。目前存在的主要問題是材料中的缺陷密度高，且價(jià)格昂貴。

II－VI族蘭綠光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美國3M公司成功地解決了II－VI族的P型摻雜難點(diǎn)而得到迅速發(fā)展。1991年3M公司利用MBE技術(shù)率先宣布了電注入（Zn，Cd）Se／ZnSe蘭光激光器在77K（495nm）脈沖輸出功率100mW的消息，開始了II－VI族蘭綠光半導(dǎo)體激光（材料）器件研制的。經(jīng)過多年的努力，目前ZnSe基II－VI族蘭綠光激光器的壽命雖已超過1000小時(shí)，但離使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速發(fā)展和應(yīng)用，使II－VI族蘭綠光材料研制步伐有所變緩。提高有源區(qū)材料的完整性，特別是要降低由非化學(xué)配比導(dǎo)致的點(diǎn)缺陷密度和進(jìn)一步降低失配位錯和解決歐姆接觸等問題，仍是該材料體系走向?qū)嵱没氨仨氁鉀Q的問題。

寬帶隙半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料往往也是典型的大失配異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，所謂大失配異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料是指晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)或晶體的對稱性等物理參數(shù)有較大差異的材料體系，如GaN／藍(lán)寶石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引發(fā)界面處大量位錯和缺陷的產(chǎn)生，極大地影響著微結(jié)構(gòu)材料的光電性能及其器件應(yīng)用。如何避免和消除這一負(fù)面影響，是目前材料制備中的一個(gè)迫切要解決的關(guān)鍵科學(xué)問題。這個(gè)問題的解泱，必將大大地拓寬材料的可選擇余地，開辟新的應(yīng)用領(lǐng)域。

目前，除SiC單晶襯低材料，GaN基藍(lán)光LED材料和器件已有商品出售外，大多數(shù)高溫半導(dǎo)體材料仍處在實(shí)驗(yàn)室研制階段，不少影響這類材料發(fā)展的關(guān)鍵問題，如GaN襯底，ZnO單晶簿膜制備，P型摻雜和歐姆電極接觸，單晶金剛石薄膜生長與N型摻雜，II－VI族材料的退化機(jī)理等仍是制約這些材料實(shí)用化的關(guān)鍵問題，國內(nèi)外雖已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。

3光子晶體

光子晶體是一種人工微結(jié)構(gòu)材料，介電常數(shù)周期的被調(diào)制在與工作波長相比擬的尺度，來自結(jié)構(gòu)單元的散射波的多重干涉形成一個(gè)光子帶隙，與半導(dǎo)體材料的電子能隙相似，并可用類似于固態(tài)晶體中的能帶論來描述三維周期介電結(jié)構(gòu)中光波的傳播，相應(yīng)光子晶體光帶隙（禁帶）能量的光波模式在其中的傳播是被禁止的。如果光子晶體的周期性被破壞，那么在禁帶中也會引入所謂的“施主”和“受主”模，光子態(tài)密度隨光子晶體維度降低而量子化。如三維受限的“受主”摻雜的光子晶體有希望制成非常高Q值的單模微腔，從而為研制高質(zhì)量微腔激光器開辟新的途徑。光子晶體的制備方法主要有：聚焦離子束（FIB）結(jié)合脈沖激光蒸發(fā)方法，即先用脈沖激光蒸發(fā)制備如Ag/MnO多層膜，再用FIB注入隔離形成一維或二維平面陣列光子晶體；基于功能粒子（磁性納米顆粒Fe2O3，發(fā)光納米顆粒CdS和介電納米顆粒TiO2）和共軛高分子的自組裝方法，可形成適用于可光范圍的三維納米顆粒光子晶體；二維多空硅也可制作成一個(gè)理想的3－5μm和1.5μm光子帶隙材料等。目前，二維光子晶體制造已取得很大進(jìn)展，但三維光子晶體的研究，仍是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的課題。最近，Campbell等人提出了全息光柵光刻的方法來制造三維光子晶體，取得了進(jìn)展。

4量子比特構(gòu)建與材料

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，計(jì)算機(jī)芯片集成度不斷增高，器件尺寸越來越小（nm尺度）并最終將受到器件工作原理和工藝技術(shù)限制，而無法滿足人類對更大信息量的需求。為此，發(fā)展基于全新原理和結(jié)構(gòu)的功能強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)是21世紀(jì)人類面臨的巨大挑戰(zhàn)之一。1994年Shor基于量子態(tài)疊加性提出的量子并行算法并證明可輕而易舉地破譯目前廣泛使用的公開密鑰Rivest，Shamir和Adlman（RSA）體系，引起了人們的廣泛重視。

所謂量子計(jì)算機(jī)是應(yīng)用量子力學(xué)原理進(jìn)行計(jì)的裝置，理論上講它比傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)有更快的運(yùn)算速度，更大信息傳遞量和更高信息安全保障，有可能超越目前計(jì)算機(jī)理想極限。實(shí)現(xiàn)量子比特構(gòu)造和量子計(jì)算機(jī)的設(shè)想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一個(gè)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量子計(jì)算的方案。其核心是利用硅納米電子器件中磷施主核自旋進(jìn)行信息編碼，通過外加電場控制核自旋間相互作用實(shí)現(xiàn)其邏輯運(yùn)算，自旋測量是由自旋極化電子電流來完成，計(jì)算機(jī)要工作在mK的低溫下。

這種量子計(jì)算機(jī)的最終實(shí)現(xiàn)依賴于與硅平面工藝兼容的硅納米電子技術(shù)的發(fā)展。除此之外，為了避免雜質(zhì)對磷核自旋的干擾，必需使用高純（無雜質(zhì)）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅單晶；減小SiO2絕緣層的無序漲落以及如何在硅里摻入規(guī)則的磷原子陣列等是實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算的關(guān)鍵。量子態(tài)在傳輸，處理和存儲過程中可能因環(huán)境的耦合（干擾），而從量子疊加態(tài)演化成經(jīng)典的混合態(tài)，即所謂失去相干，特別是在大規(guī)模計(jì)算中能否始終保持量子態(tài)間的相干是量子計(jì)算機(jī)走向?qū)嵱没八匦杩朔碾y題。

5發(fā)展我國半導(dǎo)體材料的幾點(diǎn)建議

鑒于我國目前的工業(yè)基礎(chǔ)，國力和半導(dǎo)體材料的發(fā)展水平，提出以下發(fā)展建議供參考。

5.1硅單晶和外延材料硅材料作為微電子技術(shù)的主導(dǎo)地位

至少到本世紀(jì)中葉都不會改變，至今國內(nèi)各大集成電路制造廠家所需的硅片基本上是依賴進(jìn)口。目前國內(nèi)雖已可拉制8英寸的硅單晶和小批量生產(chǎn)6英寸的硅外延片，然而都未形成穩(wěn)定的批量生產(chǎn)能力，更談不上規(guī)模生產(chǎn)。建議國家集中人力和財(cái)力，首先開展8英寸硅單晶實(shí)用化和6英寸硅外延片研究開發(fā)，在“十五”的后期，爭取做到8英寸集成電路生產(chǎn)線用硅單晶材料的國產(chǎn)化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我國應(yīng)有8～12英寸硅單晶、片材和8英寸硅外延片的規(guī)模生產(chǎn)能力；更大直徑的硅單晶、片材和外延片也應(yīng)及時(shí)布點(diǎn)研制。另外，硅多晶材料生產(chǎn)基地及其相配套的高純石英、氣體和化學(xué)試劑等也必需同時(shí)給以重視，只有這樣，才能逐步改觀我國微電子技術(shù)的落后局面，進(jìn)入世界發(fā)達(dá)國家之林。

5.2GaAs及其有關(guān)化合物半導(dǎo)體單晶材料發(fā)展建議

GaAs、InP等單晶材料同國外的差距主要表現(xiàn)在拉晶和晶片加工設(shè)備落后，沒有形成生產(chǎn)能力。相信在國家各部委的統(tǒng)一組織、領(lǐng)導(dǎo)下，并爭取企業(yè)介入，建立我國自己的研究、開發(fā)和生產(chǎn)聯(lián)合體，取各家之長，分工協(xié)作，到2010年趕上世界先進(jìn)水平是可能的。要達(dá)到上述目的，到“十五”末應(yīng)形成以4英寸單晶為主2－3噸／年的SI－GaAs和3－5噸／年摻雜GaAs、InP單晶和開盒就用晶片的生產(chǎn)能力，以滿足我國不斷發(fā)展的微電子和光電子工業(yè)的需術(shù)。到2010年，應(yīng)當(dāng)實(shí)現(xiàn)4英寸GaAs生產(chǎn)線的國產(chǎn)化，并具有滿足6英寸線的供片能力。

5.3發(fā)展超晶格、量子阱和一維、零維半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料的建議

（1）超晶格、量子阱材料從目前我國國力和我們已有的基礎(chǔ)出發(fā)，應(yīng)以三基色（超高亮度紅、綠和藍(lán)光）材料和光通信材料為主攻方向，并兼顧新一代微電子器件和電路的需求，加強(qiáng)MBE和MOCVD兩個(gè)基地的建設(shè)，引進(jìn)必要的適合批量生產(chǎn)的工業(yè)型MBE和MOCVD設(shè)備并著重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP，GaN基藍(lán)綠光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料體系的實(shí)用化研究是當(dāng)務(wù)之急，爭取在“十五”末，能滿足國內(nèi)2、3和4英寸GaAs生產(chǎn)線所需要的異質(zhì)結(jié)材料。到2010年，每年能具備至少100萬平方英寸MBE和MOCVD微電子和光電子微結(jié)構(gòu)材料的生產(chǎn)能力。達(dá)到本世紀(jì)初的國際水平。

寬帶隙高溫半導(dǎo)體材料如SiC，GaN基微電子材料和單晶金剛石薄膜以及ZnO等材料也應(yīng)擇優(yōu)布點(diǎn)，分別做好研究與開發(fā)工作。

篇（4）

一、從有機(jī)半導(dǎo)體到無機(jī)半導(dǎo)體的探索

1.1有機(jī)半導(dǎo)體的概念及其研究歷程

什么叫有機(jī)半導(dǎo)體呢?眾所周知，半導(dǎo)體材料是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類材料，這類材料具有獨(dú)特的功能特性。以硅、鍺、砷化嫁、氮化嫁等為代表的半導(dǎo)體材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子元件、高密度信息存儲、光電器件等領(lǐng)域。隨著人們對物質(zhì)世界認(rèn)識的逐步深入，一批具有半導(dǎo)體特性的有機(jī)功能材料被開發(fā)出來了，并且正嘗試應(yīng)用于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的領(lǐng)域。

在1574年，人們就開始了半導(dǎo)體器件的研究。然而，一直到1947年朗訊(Lueent)科技公司所屬貝爾實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)研究小組發(fā)明了雙極晶體管后，半導(dǎo)體器件物理的研究才有了根本性的突破，從此拉開了人類社會步入電子時(shí)代的序幕。在發(fā)明晶體管之后，隨著硅平面工藝的進(jìn)步和集成電路的發(fā)明，從小規(guī)模、中規(guī)模集成電路到大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路不斷發(fā)展，出現(xiàn)了今天這樣的以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)的電子信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)，所以晶體管及其相關(guān)的半導(dǎo)體器件成了當(dāng)今全球市場份額最大的電子工業(yè)基礎(chǔ)。，半導(dǎo)體在當(dāng)今社會擁著卓越的地位，而無機(jī)半導(dǎo)體又是是半導(dǎo)體家族的重中之重。

1.2有機(jī)半導(dǎo)體同無機(jī)半導(dǎo)體的區(qū)別及其優(yōu)點(diǎn)

與無機(jī)半導(dǎo)體相比，有點(diǎn)半導(dǎo)體具有一定的自身獨(dú)特性，表現(xiàn)在：

(l)、有機(jī)半導(dǎo)體的成膜技術(shù)更多、更新，如真空蒸鍍，溶液甩膜，Langmtrir一Blodgett(LB)技術(shù)，分子自組裝技術(shù)，從而使制作工藝簡單、多樣、成本低。利用有機(jī)薄膜大規(guī)模制備技術(shù)，可以制備大面積的器件。

(2)、器件的尺寸能做得更小(分子尺度)，集成度更高。分子尺度的減小和集成度的提高意味著操作功率的減小以及運(yùn)算速度的提高。

(3)、以有機(jī)聚合物制成的場效應(yīng)器件，其電性能可通過對有機(jī)分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行適當(dāng)?shù)男揎?在分子鏈上接上或截去適當(dāng)?shù)脑雍突鶊F(tuán))而得到滿意的結(jié)果。同時(shí)，通過化學(xué)或電化學(xué)摻雜，有機(jī)聚合物的電導(dǎo)率能夠在絕緣體(電阻率一10一Qcm)到良導(dǎo)體這樣一個(gè)很寬的范圍內(nèi)變動。因此，通過摻雜或修飾技術(shù)，可以獲得理想的導(dǎo)電聚合物。

(4)、有機(jī)物易于獲得，有機(jī)場效應(yīng)器件的制作工藝也更為簡單，它并不要求嚴(yán)格地控制氣氛條件和苛刻的純度要求，因而能有效地降低器件的成本。

(5)、全部由有機(jī)材料制備的所謂“全有機(jī)”的場效應(yīng)器件呈現(xiàn)出非常好的柔韌性，而且質(zhì)量輕。

(6)通過對有機(jī)分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行適當(dāng)?shù)男揎?，可以得到不同性能的材料，因此通過對有機(jī)半導(dǎo)體材料進(jìn)行改性就能夠使器件的電學(xué)性能達(dá)到理想的結(jié)果。

1.3有機(jī)半導(dǎo)體材料分類

有機(jī)半導(dǎo)體層是有機(jī)半導(dǎo)體器件中最重要的功能層，對于器件的性能起主導(dǎo)作用。所以，有機(jī)半導(dǎo)體器件對所用有機(jī)半導(dǎo)體材料有兩點(diǎn)要求:

(l)、高遷移率；(2)、低本征電導(dǎo)率。

高的遷移率是為了保證器件的開關(guān)速度，低的本征電導(dǎo)率是為了盡可能地降低器件的漏電流，從而提高器件的開關(guān)比。用作有機(jī)半導(dǎo)體器件的有機(jī)半導(dǎo)體材料按不同的化學(xué)和物理性質(zhì)主要分為三類:一是高分子聚合物，如烷基取代的聚噬吩;二是低聚物，如咪嗯齊聚物和噬吩齊聚物;三是有機(jī)小分子化合物，如并苯類，C6。，金屬酞著化合物，蔡，花，電荷轉(zhuǎn)移鹽等。

二、制作有機(jī)半導(dǎo)體器件的常用技術(shù)

有機(jī)半導(dǎo)體性能的好壞多數(shù)決定于半導(dǎo)體制作過程因此實(shí)驗(yàn)制備技術(shù)就顯得尤為重要。下面將對一些人們常用器件制備的實(shí)驗(yàn)技術(shù)做簡要的介紹：

(1)、真空技術(shù)。它是目前制備有機(jī)半導(dǎo)體器件最普遍采用的方法之一，主要包括真空鍍膜、濺射和有機(jī)分子束外延生長(OMBE)技術(shù)。

(2)、溶液處理成膜技術(shù)。它被認(rèn)為是制備有機(jī)半導(dǎo)體器件最有發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)，適用于可溶性的有機(jī)半導(dǎo)體材料。常用的溶液處理成膜技術(shù)主要包括電化學(xué)沉積技術(shù)、甩膜技術(shù)、鑄膜技術(shù)、預(yù)聚物轉(zhuǎn)化技術(shù)、分子自組裝技術(shù)、印刷技術(shù)等。

三、有機(jī)半導(dǎo)體器件的場效應(yīng)現(xiàn)象

為了便于說明有機(jī)半導(dǎo)體器件的場效應(yīng)現(xiàn)象，本文結(jié)合有機(jī)極性材料制作有機(jī)半導(dǎo)體器件對薄膜態(tài)有機(jī)場效應(yīng)進(jìn)行分析。試驗(yàn)中，將有機(jī)極性材料經(jīng)過真空熱蒸鍍提純之后溶在DMF溶液中，濃度是20Omg/ml，使用超聲波清洗機(jī)促進(jìn)它們充分并且均勻的溶解，經(jīng)過真空系統(tǒng)中沉積黃金薄膜作為器件的源極和漏極。在類似條件下，在玻璃襯底上制作了極性材料的薄膜形態(tài)晶粒，研究發(fā)現(xiàn)：

在有機(jī)極性材料形態(tài)，有塊狀、樹枝狀和針狀。不同的薄膜態(tài)形態(tài)，在不同柵極電壓VG的作用下有不同的Ids(流過器件的源極和漏極的電流)一Vds(加在器件的源極和漏極之間的電壓)曲線。

1、塊狀形貌結(jié)構(gòu)的薄膜態(tài)有機(jī)器件的Ids－Vds(性能曲線，變化范圍是從－150V到15OV、柵極電壓的變化范圍是從－200V到200V。當(dāng)柵極電壓Vg以100V的間隔從－200V變化到200V時(shí)，Ids隨著Vds的增加而增加，此時(shí)沒有場效應(yīng)現(xiàn)象。

2、針狀形貌結(jié)構(gòu)的薄膜態(tài)有機(jī)器件的Ids－Vds性能曲線，當(dāng)Vds從－75V增加到75V，柵極電壓VG的變化范圍是一200V~20OV，遞增幅度是5OV。此時(shí)器件具有三種性能規(guī)律:(1)在固定的柵極電壓Vg下，當(dāng)從Vds－75V增加到75V時(shí)，電流Ids也隨之增加;(2)在固定的外加電壓Vds下，當(dāng)柵極電壓Vg從－2O0V增加到2OOV時(shí)，電流Ids也隨之增加;(3)如果沒有對器件施加Vds電壓，只要柵極電壓Vds存在，就會產(chǎn)生Ids電流，產(chǎn)生電池效應(yīng)。

通過上述的解說我們對有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能已有一定的了解了。下面我們即將通過試驗(yàn)來揭開其神秘的面紗。

四、有機(jī)半導(dǎo)體的光電性能探討——以納米ZnO線(棒)的光電性能研究為例

近年來，納米硅的研究引起了社會的廣泛的關(guān)注，本文中我們將采用場發(fā)射系統(tǒng)，測試?yán)盟疅岱ㄖ苽涞墓杌嚵谢趸\納米絲的場發(fā)射性能。圖11是直徑為30和100nm兩個(gè)氧化鋅陣列的場發(fā)射性能圖,其中圖11a和b分別是上述兩個(gè)樣品的I_V圖和F_N圖。從圖11a中可以看出氧化鋅納米絲的直徑對場發(fā)射性能有很大的影響,直徑為30nm的氧化鋅陣列的開啟場強(qiáng)為2V/μm門檻場強(qiáng)為5V/μm;而直徑為100nm的氧化鋅陣列的開啟場強(qiáng)為3V/μm,門檻場強(qiáng)大于7V/μm。并且從圖11b中可以知道,ln(J/E2)和1/E的關(guān)系近似成線性關(guān)系,可知陰極的電子發(fā)射與F_N模型吻合很好,表明其發(fā)射為場發(fā)射,其性能比文獻(xiàn)報(bào)道的用熱蒸發(fā)制備的陣列化氧化鋅的場發(fā)射性能要好[25]。這主要是由于氧化鋅的二次生長,導(dǎo)致所得氧化鋅陣列由上下兩層組成,具有較高的密度以及較小的直徑,在電場的作用下,更多的電子更容易從尖端的氧化鋅納米絲發(fā)射,從而降低了它們的開啟場強(qiáng)和門檻場強(qiáng)。

我們測試了硅基陣列化納米ZnO的光致熒光譜,如圖12所示。從圖中可知,600~700℃和300~400℃下熱蒸發(fā)合成的陣列化ZnO納米絲的峰位分別在393nm(虛線)及396nm(實(shí)線)。PL譜上強(qiáng)烈的紫外光的峰證明:合成的ZnO納米絲有較好的結(jié)晶性能和較少的氧空位缺陷。由于在高溫區(qū)合成的納米絲有較細(xì)的尖端,故有少量藍(lán)移。

通過上述針對納米ZnO線(棒)的試驗(yàn)，我們能對硅基一維納米的電學(xué)性能進(jìn)行了初步的探討。相信這些工作將為今后的硅基一維納米材料在光電方面的應(yīng)用提供一個(gè)良好的基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)

[1]DuanXF,HuangY,CuiY,etal.Indiumphos-phidenanowiresasbuildingblocksfornanoscaleelectronicandoptoelectronicdevices.Nature,2001.

篇（5）

軟件行業(yè)是我國的重要行業(yè)，但自從其發(fā)展開始就一直存在著盜版問題，而由于被盜版的軟件大多為國外軟件制造商的產(chǎn)品，所以經(jīng)常引發(fā)關(guān)于知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)是否過渡的爭論，支持盜版者以社會福利為其理由，而反對者堅(jiān)持知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)有利于技術(shù)進(jìn)步。

1基本事實(shí)

關(guān)于軟件盜版存在著公認(rèn)的事實(shí)，這些事實(shí)是我們分析的起點(diǎn)。首先，軟件盜版在技術(shù)上無法克服，即無論正版軟件制造商采用何種反盜版技術(shù)都無法防范自己的軟件被盜版；其次，盜版軟件與正版軟件在實(shí)用性上并不存在較大的差距，這點(diǎn)非常重要。因?yàn)檫@意味著正版軟件和盜版軟件的產(chǎn)品差別不大；再次，實(shí)施盜版所需的投入遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于正版軟件，因?yàn)楸I版廠商無需支付研發(fā)支出；最后，軟件生產(chǎn)的邊際成本非常低，接近于零，所以可以認(rèn)為正版和盜版軟件的邊際成本相等且不變。

2不存在盜版廠商時(shí)的正版軟件定價(jià)策略

如果我們實(shí)施極為嚴(yán)格的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)，則市場上不存在盜版軟件，此時(shí)正版廠商是市場上唯一的生產(chǎn)者，整個(gè)市場結(jié)構(gòu)就是標(biāo)準(zhǔn)的完全壟斷市場。相關(guān)的函數(shù)如下：反需求函數(shù)：p1=a-bq1需求函數(shù)則為：q1=a/b-p1/b成本函數(shù)為：c1=f+cq1利潤函數(shù)為:：μ1=(a-p1)(p1-c)/b-fp1為正版軟件的價(jià)格，q1為正版軟件的需求量，f表示固定成本，這里相對于盜版廠商來說主要為研發(fā)支出，c表示不變的邊際成本和平均變動成本。

所以對利潤函數(shù)求p1的一階導(dǎo)數(shù)可得其最優(yōu)定價(jià)：p1=c+(a-c)/2

3基于一個(gè)正版廠商和一個(gè)盜版廠商市場結(jié)構(gòu)的經(jīng)濟(jì)學(xué)分析

3.1軟件市場反需求函數(shù)和需求函數(shù)

由于正版軟件和盜版軟件的差別不大，所以對于普通個(gè)人用戶來講，它們的替代性相當(dāng)大。我們用以下這組反需求函數(shù)來表示這種關(guān)系：

p1=a-b(q1+θq2)p2=a-b(θq1+q2)

式中，a和b為正，0≤θ≤1，θ取負(fù)值時(shí)模型成為一個(gè)互補(bǔ)商品的需求模型。若θ=0則一種商品的價(jià)格僅與本商品的產(chǎn)量有關(guān)，而與另一種商品無關(guān)，兩種商品無替代性。θ越接近于1，兩個(gè)變量之間的替代性越強(qiáng)；當(dāng)θ=1則兩種商品為完全替代，即對于消費(fèi)者來講產(chǎn)品1和產(chǎn)品2完全一樣。很明顯，在盜版問題上0＜θ＜1，即兩種商品既不完全替代也不完全無關(guān)，且θ較為接近1。

通過轉(zhuǎn)換反需求函數(shù)的方程式，可以得到模型所隱含的需求函數(shù)方程式：q1=[(1-θ)a-p1+θp2]/(1-θ2)bq2=(1-θ)a-p2+θp1]/(1-θ2)b

3.2軟件企業(yè)的成本函數(shù)和利潤函數(shù)

正版軟件的成本函數(shù)可以表示為：

c1=f+cq1，f表示固定成本，這里相對于盜版廠商來說主要為研發(fā)支出。c表示不變的邊際成本和平均變動成本。

結(jié)合鮑利的線性需求模型，可得正版企業(yè)的利潤函數(shù)為：

μ1=(p1-c)[(1-θ)(a-c)-(p1-c)+θ(p2-c)]/(1-θ2)b-f相應(yīng)的，不包括大量研發(fā)支出的盜版廠商的成本函數(shù)為：c2=cq2

其利潤函數(shù)為：

μ2=(p2-c)[(1-θ)(a-c)-(p2-c)+θ(p1-c)]/(1-θ2)b

使μ1最大化的對于p1的一階條件給出了正版廠商相對于盜版廠商的價(jià)格最優(yōu)反映函數(shù)：2(p1-c)-θ(p2-c)=(1-θ)(a-c)同理盜版廠商的價(jià)格最優(yōu)反映函數(shù)為：2(p2-c)-θ(p1-c)=(1-θ)(a-c)由此可以確定均衡價(jià)格為：p1=p2=c+(1-θ)(a-c)/(2-θ)

4基于一個(gè)正版廠商和多個(gè)盜版廠商市場結(jié)構(gòu)的經(jīng)濟(jì)學(xué)分析

4.1伯特蘭模型與盜版廠商之間的競爭

當(dāng)多個(gè)盜版廠商出現(xiàn)時(shí)(這也是更為符合實(shí)際的假設(shè))，盜版廠商之間存在較為激烈的競爭，即盜版廠商的博弈對象不再是正版廠商而是其它的盜版廠商。而盜版軟件之間則沒有任何差別，它們之間的競爭完全是價(jià)格競爭。經(jīng)典伯特蘭模型認(rèn)為，當(dāng)產(chǎn)品同質(zhì)時(shí)，最終價(jià)格會降至邊際成本。

經(jīng)典伯特蘭模型是建立在兩個(gè)生產(chǎn)同質(zhì)產(chǎn)品的廠商基礎(chǔ)之上的，這兩個(gè)廠商只能使用價(jià)格作為決策變量。同時(shí)假設(shè)兩個(gè)廠商擁有相同的平均成本和邊際成本，且平均成本等于邊際成本。圖1中當(dāng)廠商2的價(jià)格低于邊際成本(平均成本)時(shí)，廠商1選擇邊際成本作為其價(jià)格；當(dāng)廠商2的價(jià)格高于邊際成本(平均成本)低于壟斷價(jià)格Pm(平均成本)時(shí)，廠商1選擇略低于P2的價(jià)格作為其價(jià)格，并占有整個(gè)市場；當(dāng)P2>Pm時(shí)，廠商1的價(jià)格定在Pm處。

圖2中包括了廠商2和廠商1的最優(yōu)反應(yīng)曲線，他們的交點(diǎn)就是均衡點(diǎn)p1=p2=mc。此時(shí)兩個(gè)廠商都達(dá)到了平均成本處，誰都沒有動力離開均衡點(diǎn)。

顯然伯特蘭模型的結(jié)論對于多個(gè)廠商也是成立，所以盜版廠商的價(jià)格會降至邊際成本，這也能獲得事實(shí)的支持：國內(nèi)每個(gè)省會城市的盜版軟件幾乎都有自己的統(tǒng)一價(jià)格。

4.2基于多個(gè)盜版廠商市場環(huán)境的正版廠商的反應(yīng)函數(shù)

當(dāng)盜版軟件的價(jià)格降至邊際成本MC=c時(shí)，從正版軟件廠商的最優(yōu)價(jià)格反應(yīng)函數(shù)：

2(p1-c)-θ(p2-c)=(1-θ)(a-c)

易于推出正版軟件的最優(yōu)定價(jià)為:

p1=c+(1-θ)(a-c)/2

5靜態(tài)效率與動態(tài)效率

比較一個(gè)正版廠商面對一個(gè)盜版廠商所采用的最優(yōu)定價(jià)和它面對多個(gè)廠商時(shí)的最優(yōu)定價(jià)：

p1=p2=c+(1-θ)(a-c)/(2-θ)p1=c+(1-θ)(a-c)/2

我們發(fā)現(xiàn)存在多個(gè)盜版廠商時(shí)正版軟件的最優(yōu)定價(jià)應(yīng)更低，如果再與完全壟斷市場中企業(yè)的最優(yōu)定價(jià)p1=c+(a-c)/2相比，我們發(fā)現(xiàn)隨著盜版廠商的加入，的確正版廠商的最優(yōu)定價(jià)會不斷下降，越來越接近靜態(tài)社會福利的標(biāo)準(zhǔn)p=mc。所以認(rèn)為盜版有利于增加社會福利的看法是有道理的。但是這只是靜態(tài)效率，靜態(tài)效率包括配置效率和生產(chǎn)效率。

而社會福利則除了靜態(tài)效率還包括動態(tài)效率，動態(tài)效率則與知識擴(kuò)散有關(guān)，知識擴(kuò)散是創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的函數(shù)，所以動態(tài)效率是創(chuàng)新和保護(hù)的函數(shù)。如果我們不重視保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，則沒有人愿意投資進(jìn)行創(chuàng)新。如果我們過于保護(hù)，比方說，將軟件的版權(quán)無限期延長，那知識將無法擴(kuò)散，技術(shù)無法進(jìn)步，經(jīng)濟(jì)就很難增長。有學(xué)者用下下列圖3表示社會福利與知識產(chǎn)權(quán)之間的關(guān)系：

在圖3中社會福利(嚴(yán)格的講是動態(tài)社會福利，即動態(tài)效率)和知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)水平不是線性相關(guān)的，在P*(此處P為保護(hù)水平，而非價(jià)格)處達(dá)到最大，大于或小于P*都會造成動態(tài)效率的損失。

6主要結(jié)論

所以認(rèn)為為了社會福利的進(jìn)步，就應(yīng)該允許大肆盜版的看法是沒有堅(jiān)實(shí)的經(jīng)濟(jì)學(xué)基礎(chǔ)的。因?yàn)殪o態(tài)效率最大化要求不對知識產(chǎn)權(quán)進(jìn)行任何保護(hù)，這樣人人都可以盜版，軟件價(jià)格一定會降低到邊際成本處。但動態(tài)效率則要求對知識產(chǎn)權(quán)進(jìn)行一定程度的保護(hù)(P*不可能為零)，所以兩者無法同時(shí)達(dá)到最大化。

盡管沒有定量上的最優(yōu)值，我們還是可以有一些有價(jià)值的結(jié)論。我們可以在軟件的保護(hù)方面進(jìn)行一些策略調(diào)整，比方說縮短軟件保護(hù)的著作權(quán)年限，以提高靜態(tài)效率和知識傳播速度，同時(shí)在保護(hù)期內(nèi)嚴(yán)厲打擊盜版，保護(hù)企業(yè)的創(chuàng)新精神，保護(hù)產(chǎn)業(yè)的長期競爭力。

參考文獻(xiàn)

篇（6）

一、團(tuán)體動力的理論基礎(chǔ)

團(tuán)體是指兩個(gè)或兩個(gè)以上的人，互相影響、互相依賴，且具有共同的目標(biāo)，為了完成特定的目標(biāo)而相互結(jié)合成的組織。團(tuán)體具有互動與相對動態(tài)的性質(zhì)，是具有社會互動性質(zhì)的組織，團(tuán)體遵循共同的規(guī)范，具有目標(biāo)性。

團(tuán)體動力是指某社會團(tuán)體之所以形成的原因，以及維系團(tuán)體功能的一種力量或一種方式。團(tuán)體動力學(xué)是社會科學(xué)的分支，是一門探討團(tuán)體結(jié)構(gòu)及團(tuán)體與成員間相互動力關(guān)系的學(xué)問。其理論有場地論、因素分析論、社會團(tuán)體工作理論、心理分析理論等。場地論代表人物勒溫認(rèn)為，應(yīng)該把團(tuán)體看作是一個(gè)生命的空間，它是由一些力量或變量組成，它們是影響團(tuán)體內(nèi)成員的重要變項(xiàng)。根據(jù)此理論，在教育教學(xué)實(shí)踐中，班主任若能將班級作為心理場地并作數(shù)量化呈現(xiàn)，才能分析、控制班級與運(yùn)用班級動力。因素分析論的代表人物卡特爾認(rèn)為，團(tuán)體動力主要受到某些重要因素的影響，領(lǐng)導(dǎo)者在決定團(tuán)體的發(fā)展時(shí)，需要了解團(tuán)體內(nèi)的關(guān)鍵因素。根據(jù)卡特爾的理論，若能對團(tuán)體內(nèi)的各項(xiàng)屬性一一加以評估，掌握有關(guān)的獨(dú)立變項(xiàng)，可以有效運(yùn)作團(tuán)體。社會團(tuán)體工作論是將團(tuán)體工作者的敘事性記錄及團(tuán)體成員的個(gè)案史等資料加以分析，以了解團(tuán)體對成員人格發(fā)展的影響；重視團(tuán)體經(jīng)驗(yàn)與個(gè)體成長的交互作用，注重行動研究，即領(lǐng)導(dǎo)者如何有效利用學(xué)習(xí)遷移，促發(fā)成員轉(zhuǎn)移團(tuán)體咨詢情景的積極經(jīng)驗(yàn)，以協(xié)助成員產(chǎn)生建設(shè)，增進(jìn)社會適應(yīng)。心理分析理論強(qiáng)調(diào)團(tuán)體歷程中有關(guān)的情感因素，包括領(lǐng)導(dǎo)者和成員、成員與成員、成員與他人，強(qiáng)調(diào)透過對成員過去經(jīng)驗(yàn)的了解及個(gè)案記錄的分析解釋，促發(fā)動力性的團(tuán)體經(jīng)驗(yàn)，協(xié)助成員產(chǎn)生積極的行為改變與人格發(fā)展。

班級是一個(gè)團(tuán)體，班主任是團(tuán)體的領(lǐng)導(dǎo)者。如何消除團(tuán)體的沖突，促進(jìn)團(tuán)體凝聚力的提升，進(jìn)而形成團(tuán)體的動力，并運(yùn)用團(tuán)體動力的輔導(dǎo)策略，這些是班主任科學(xué)管理班級應(yīng)涉及到的內(nèi)容。了解團(tuán)體動力理論，借鑒動力理論，有助于班主任形成自己有效管理班級的教育理念。

二、認(rèn)識中小學(xué)班級中的團(tuán)體動力形態(tài)

21世紀(jì)社會急劇的變遷與轉(zhuǎn)型，使得傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)功能論受到現(xiàn)代文化的挑戰(zhàn)。班級是學(xué)校教育中最基層的單位，而過去以教師為中心的教室管理模式較忽視與壓抑班級團(tuán)體動力的影響性。班級中存在著許許多多的小團(tuán)體，這些小團(tuán)體具有其潛在的影響力。作為班主任，應(yīng)善用這些團(tuán)體動力來使得班級管理更具有成效。

（一）非主流文化團(tuán)體取向的小團(tuán)體

所謂的非主流文化指相對于主流文化之外的其他文化，它是邊緣的、附屬的與次要的文化。中小學(xué)學(xué)生的他律性較強(qiáng)，容易受到同輩團(tuán)體的影響而在班級中形成學(xué)生非主流文化團(tuán)體，容易受到媒體與流行文化等因素的影響，而形成一種屬于次級文化的小團(tuán)體。例如在中小學(xué)中流行的女孩們的影視歌星崇拜現(xiàn)象，中小學(xué)男生當(dāng)前所流行的網(wǎng)絡(luò)游戲，如魔獸爭霸等，都是典型的學(xué)校非主流文化。班主任若能留心觀察學(xué)生無意間形成的非主流文化團(tuán)體，運(yùn)用引導(dǎo)的方法把這些團(tuán)體的動力凝聚起來向著具有教育性的方向發(fā)展，對于班級管理是有所幫助的。

（二）以個(gè)性、興趣結(jié)合和教師評價(jià)取向的小團(tuán)體

一般來說，中小學(xué)生在教室中的小團(tuán)體比較傾向于個(gè)性與興趣的結(jié)合。但也可能會因?yàn)槭艿焦φn與教師的標(biāo)準(zhǔn)化評價(jià)而形成所謂的好學(xué)生小團(tuán)體與調(diào)皮學(xué)生的小團(tuán)體。通常所謂的好學(xué)生小團(tuán)體對班級管理會產(chǎn)生積極的幫助，而調(diào)皮學(xué)生的小團(tuán)體可能造成班級管理的問題所在。因此，班主任要平等對待學(xué)生，必須消除個(gè)人的喜好，對于還正在成長中的學(xué)生不要給予社會的標(biāo)準(zhǔn)評價(jià)，因?yàn)槊课粚W(xué)生的潛力是無限的，教師必須循循善誘，引導(dǎo)這些班級中的小團(tuán)體朝著健康的方向發(fā)展。

（三）以座位分配取向的小團(tuán)體

中小學(xué)生常會因?yàn)樵诮淌抑械淖环峙涠绊懙綄W(xué)習(xí)的效果，而由于座位的分配所產(chǎn)生的班級氣氛值得教育心理學(xué)工作者進(jìn)一步探討。一般來說，中小學(xué)生若與不喜歡的同學(xué)坐在一起，會影響其學(xué)習(xí)動機(jī)；而若與喜歡的同學(xué)坐在一起，則會非常興奮而顯得士氣高昂。因此，在班級座位安排方面，班主任必須作適時(shí)的調(diào)整與更新。在座位的分配方面，必須考慮每位學(xué)生不同的學(xué)習(xí)表現(xiàn)，將學(xué)習(xí)表現(xiàn)好的學(xué)生與學(xué)習(xí)表現(xiàn)差的學(xué)生交錯分配在一起，如此才不容易造成學(xué)生的被標(biāo)準(zhǔn)化。此外，高效能的學(xué)生座位安排將有助于師生之間形成密切的互動。班主任對于班級中的分組也需要思考，應(yīng)打破性別意識與學(xué)業(yè)成就的界線，善用小組間積極的合作與競爭模式，培養(yǎng)學(xué)生的主動精神與民主素養(yǎng)，如此將產(chǎn)生最佳的團(tuán)體動力。

（四）以性別取向的小團(tuán)體

小學(xué)高年級的學(xué)生和中學(xué)生進(jìn)入了青春期，而這個(gè)階段女生的發(fā)育比起同年齡的男生要早，因此這個(gè)階段的性別界限特別明顯。在這個(gè)青澀的成長階段，中小學(xué)生的智力、學(xué)習(xí)開始初步定型，自尊心與好勝心、喜歡與厭惡、好奇與排斥等特別明顯。一般來說，小學(xué)高年級和中學(xué)的女生在班級中常會組成許多小團(tuán)體，這些小團(tuán)體會基于興趣與個(gè)性而組成在一起，且團(tuán)體之間的界線會比中低年級的學(xué)生們來得更明顯。而小學(xué)高年級的男生和中學(xué)男生在心智與生理發(fā)展方面顯著慢于同齡的女生，會有被同齡女生領(lǐng)導(dǎo)的現(xiàn)象，因此小學(xué)高年級和中學(xué)的男生的小團(tuán)體界線比較模糊。中小學(xué)教師在這個(gè)階段的班級管理要特別留心于性別因素所產(chǎn)生的影響，應(yīng)避免性別間的小團(tuán)體沖突，并善用此階段學(xué)生的語言模式與學(xué)生溝通，盡量以“活動式”與“主題式”的策略激發(fā)學(xué)生的團(tuán)體動力，并善于借助相互合作與競爭之間產(chǎn)生的最大的效能。這將有助于教師的班級管理。

三、班主任運(yùn)用團(tuán)體動力的班級輔導(dǎo)策略

在中小學(xué)中，過去偏向于以班主任為中心的班級管理，其目的在于幫助教師控制學(xué)生的常規(guī)與秩序。而在新時(shí)代的班級管理中，必須融入民主的精神與多元的風(fēng)貌，運(yùn)用團(tuán)體動力的心理輔導(dǎo)策略。在實(shí)踐中，教師要善于利用師生間的人際影響，進(jìn)行師生間的積極溝通，尊重學(xué)生，傾聽學(xué)生的聲音，并適度地給學(xué)生建設(shè)性的反饋，最終形成科學(xué)的管理理念。（一）角色意識培養(yǎng)策略

在班級這個(gè)生命空間中，每個(gè)學(xué)生的動力聚合成班級的凝聚力。要形成班級的凝聚力，教師要抓好班級成員的角色意識培養(yǎng)，通過班級的正式角色和非正式角色的合理安排，使每個(gè)學(xué)生都能形成積極的角色意識和角色行為，使每個(gè)學(xué)生能夠感到自己在班上是受重視的，是有地位的，是負(fù)有責(zé)任的，只有這樣，才能不斷增強(qiáng)學(xué)生的責(zé)任感、義務(wù)感、安全感、歸屬感和集體主義榮譽(yù)感，從而自覺接受各種集體規(guī)范，不斷提高自己的心理健康水平和社會適應(yīng)能力。如在班級實(shí)行值日班長制度，使學(xué)生的責(zé)任感和主人翁意識得到培養(yǎng)。再如，通過各種集體活動為學(xué)生提供豐富多彩的鍛煉機(jī)會，讓每個(gè)學(xué)生負(fù)責(zé)一些事務(wù)，鍛煉他們的能力。這不但可以促進(jìn)學(xué)生的良好個(gè)性品質(zhì)的發(fā)展，促進(jìn)其動力的產(chǎn)生，也能不斷提升他們的心理健康水平。

（二）營造健康民主的心理環(huán)境的策略

心理環(huán)境包括班風(fēng)、校風(fēng)、輿論、同學(xué)關(guān)系、師生關(guān)系等。建立良好人際關(guān)系，培育健康的輿論、風(fēng)氣，能夠使學(xué)生經(jīng)常受到積極的感染和熏陶，逐漸形成積極上進(jìn)、開朗樂觀、關(guān)心集體、團(tuán)結(jié)互助的良好的性格特征，不斷提高對人際環(huán)境的適應(yīng)能力。目前教師必須改變過去權(quán)威者的角色，站在指導(dǎo)學(xué)生學(xué)習(xí)與成長的立場，適時(shí)引導(dǎo)學(xué)生，培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立自主的能力，使學(xué)生能在民主的氣氛中，展現(xiàn)自己的特色與風(fēng)格，并學(xué)習(xí)其他人的優(yōu)點(diǎn)。教師應(yīng)在民主健康的氣氛中引導(dǎo)班級向積極正向發(fā)展，建立積極、正確和健康的輿論導(dǎo)向，尊重學(xué)生所提出的觀點(diǎn)，并讓學(xué)生經(jīng)由民主的程序共同建立班級的規(guī)則與秩序，達(dá)到學(xué)生之間的相互約束與互相學(xué)習(xí)，從而獲得全班的凝聚力與向心力，這有助于教師成功地管理班級。

（三）班級學(xué)習(xí)分組策略

學(xué)生非主流文化所組成的小團(tuán)體以及班級內(nèi)的各式各樣的小團(tuán)體所產(chǎn)生的團(tuán)體動力，與教師的班級管理有著密切的關(guān)系。中小學(xué)教師在管理班級時(shí)，需要關(guān)注時(shí)代的發(fā)展，融入民主的精神，改變以往以教師為中心的班級管理策略，轉(zhuǎn)向教師與學(xué)生共同管理的模式，培養(yǎng)學(xué)生的責(zé)任感。教師可進(jìn)行引導(dǎo)而不急于幫學(xué)生作決定，如此將有助于培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立自主的能力。在班級教學(xué)分組方面，必須著眼于班級成員的全面提升，把各類不同學(xué)習(xí)成績的學(xué)生分散并綜合，這將使得每一個(gè)小組的成員都可以進(jìn)行相互指導(dǎo)。這種學(xué)習(xí)成績混合的分組為學(xué)習(xí)成績高的學(xué)生提供了成長的機(jī)會，同時(shí)也為學(xué)習(xí)成績較差的學(xué)生提供了補(bǔ)救的機(jī)會。善用此類分組方法將會激發(fā)學(xué)生產(chǎn)生學(xué)習(xí)上的最佳團(tuán)體動力。此外，教師也可以根據(jù)不同性質(zhì)的內(nèi)容或不同的活動形態(tài)進(jìn)行分組，如此將增加班級成員間的互動，增強(qiáng)班級成員的向心力。

（四）團(tuán)體游戲輔導(dǎo)策略

狹義的團(tuán)體游戲輔導(dǎo)是指游戲、唱跳，唱跳包含了歌唱與上下肢體移動的音樂律動。從兒童發(fā)展理論中可以得知，游戲在兒童發(fā)展中的作用是非常重要的，團(tuán)體游戲能增進(jìn)學(xué)生的感情交流，增進(jìn)學(xué)生對組織的向心力，對于激發(fā)學(xué)生新的創(chuàng)意與新的思維模式大有幫助。團(tuán)體游戲輔導(dǎo)有助于學(xué)生的人際關(guān)系與發(fā)展，也是培養(yǎng)學(xué)生團(tuán)體生活技能，培養(yǎng)學(xué)生健全人格的一種有效的教學(xué)方法。團(tuán)體游戲?qū)τ谂囵B(yǎng)創(chuàng)新性的兒童，對于激發(fā)班級的團(tuán)體動力，具有很大的幫助。班主任在班級管理中，適度運(yùn)用團(tuán)體游戲輔導(dǎo)的理念與技巧，并遷移至學(xué)生的學(xué)習(xí)上，可以引發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，提高學(xué)生的學(xué)習(xí)成效。

班主任是教師中的優(yōu)秀代表。他們除了應(yīng)具備普通教師的基本素質(zhì)之外，還應(yīng)具備良好的心理素質(zhì)、熱愛學(xué)生的職業(yè)素養(yǎng)和科學(xué)的管理能力?！爱?dāng)教育者贏得了學(xué)生的信任時(shí)，學(xué)生對接受教育的反感就會被克服而讓位于一種奇特情況，他們把教育者看作一個(gè)可以親近的人”。學(xué)生在與班主任朝夕相處時(shí)，容易產(chǎn)生依賴和歸屬心理，班主任將成為學(xué)生最為親近和信賴的人。

參考文獻(xiàn)：

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[4]陳曉紅.班主任應(yīng)成為青少年學(xué)生心理健康的呵護(hù)者.教育探索，2006，（2）.

篇（7）

2.平行板電容器充電后，切斷與電源的連接。在這種情況下,如果增大d，則U、Q、E各如何變化？

作為思考題，先要求學(xué)生自己做。筆者在檢查過程中發(fā)現(xiàn)，大多數(shù)學(xué)生都是采用奏合的辦法來做題，出錯的地方較多。在討論這一問題時(shí),筆者認(rèn)為應(yīng)該根據(jù)三個(gè)基本公式運(yùn)用推導(dǎo)法討論平行板電容器的有關(guān)問題。

一、三個(gè)基礎(chǔ)公式

1.平行板電容器的電容決定式C= 。式中的介電常數(shù)ε、正對面積S和兩板間距離d對于電容C是起決定作用的因素。ε、S和d一定時(shí)，電容C是不變的；如果三個(gè)量中有一個(gè)量發(fā)生變化時(shí)，電容C也隨著發(fā)生變化，而它的帶電量Q和兩極間的電壓U的變化對于電容C不發(fā)生影響。

2.電容器電容的定義式C= 。從定義式可以看出,對于任何一個(gè)固定電容器,它的帶電量與其兩極間的電壓成正比。但是,如果在保持電量不變的條件下改變電容C(即改變ε、S或d），那么電壓跟電容成反比；如果在保持電壓不變的條件下改變電容C，那么帶電量跟電容成正比。

3.勻強(qiáng)電場中電場強(qiáng)度與電勢差的關(guān)系E= 。

如果我們將前面兩個(gè)公式結(jié)合起來就有E= = = 。從該式可以看出:(1)如果從電壓方面來研究電場強(qiáng)度,必須考慮兩板間距離。當(dāng)電壓不變時(shí),兩板間距離的變化會引起電場強(qiáng)度的變化,但是在這時(shí)介電常數(shù)、正對面積和帶電量的變化對于電場強(qiáng)度不發(fā)生影響。或者說,當(dāng)電壓不變時(shí),帶電量隨著面積發(fā)生變化,帶電量和正對面積變化的倍數(shù)相同,因此它們的變化對于電場強(qiáng)度不發(fā)生影響。(2)如果從帶電量方面來研究電場強(qiáng)度時(shí),必須同時(shí)考慮介電常數(shù)和正對面積。當(dāng)帶電量不變時(shí),電介質(zhì)的介電常數(shù)變化或正對面積的變化都會引起電場強(qiáng)度的變化,但是這時(shí)兩板間距離的變化對于電場強(qiáng)度不發(fā)生影響。或者說,當(dāng)帶電量不變時(shí),電壓隨著兩板間距離發(fā)生變化,電壓和板距變化的倍數(shù)相同,因此板距的變化對于電場強(qiáng)度不發(fā)生影響。

所以，對平行板電容器的研究討論，要特別注意電容、電量和電壓三個(gè)量中什么量保持不變這個(gè)前提條件。其中電容的變化與否容易從它的決定因素ε、S和d看出，而電量和電壓的變化與否則往往由電路中開關(guān)的通斷來判斷：當(dāng)電容器與電源連接時(shí)，電壓是保持不變的；當(dāng)電容器充電后與電源斷開時(shí)，其帶電量是保持不變的。在分析具體問題時(shí),只有根據(jù)實(shí)際問題作出具體的分析,緊緊抓住保持不變的量,才能運(yùn)用公式C= 、C= 和E= = = 進(jìn)行綜合的推理分析,得出正確答案,否則,往往會出現(xiàn)錯誤。

二、運(yùn)用推導(dǎo)法對于平行板電容器問題的討論

由以上的分析,對于平行板電容器的問題,我們可以分為兩種類型進(jìn)行討論。

1.保持兩板間的電壓不變，即電容器保持與電源連接，其兩極間的電壓始終等于電源電壓。在這一情況下C、Q、E的變化分為以下四種。

(1)只改變兩板間的距離d時(shí),

(2)只改變兩板正對面積S時(shí),

(3)只改變兩板間的電介質(zhì)ε時(shí),

(4)在兩平行板間插入與原板等大的導(dǎo)體(導(dǎo)體的厚度小于d)時(shí),

2.保持平行板電容器所帶電量不變,即在對電容器充電后與電源斷開,并不對外放電。在這一情況下C、Q、E的變化也分為以下四種。

(1)只改變兩板間的距離d時(shí),

(2)只改變兩板正對面積S時(shí),

(3)只改變兩板間的電介質(zhì)ε時(shí),

(4)在兩平行板間插入與原板等大的導(dǎo)體(導(dǎo)體的厚度小于d)時(shí),

篇（8）

武大偉強(qiáng)調(diào)，中方衷心期待各國代表團(tuán)發(fā)揮政治智慧，拿出政治決心和勇氣，在增進(jìn)相互信任的過程中開辟互利共贏的未來，為實(shí)現(xiàn)半島無核化，實(shí)現(xiàn)有關(guān)國家關(guān)系正?；?，構(gòu)建和諧東北亞新格局做出新貢獻(xiàn)。

在開幕式后舉行的全體會議上，中方代表團(tuán)團(tuán)長武大偉、朝鮮代表團(tuán)團(tuán)長金桂冠、美國代表團(tuán)團(tuán)長希爾、韓國代表團(tuán)團(tuán)長千英宇、日本代表團(tuán)團(tuán)長佐佐江賢一郎和俄羅斯代表團(tuán)團(tuán)長拉佐夫分別作主旨發(fā)言，就如何落實(shí)“9?19”共同聲明闡述了各自立場，并提出了相關(guān)主張和設(shè)想。

武大偉指出，“9?19”共同聲明凝聚了各方的共識，是六方關(guān)于半島無核化總體目標(biāo)的政治宣言，是各方必須遵循的綱領(lǐng)性文件。共同聲明的通過標(biāo)志著我們完成了“承諾對承諾”。今后的課題是按照“行動對行動”原則，具體落實(shí)共同聲明。中國代表團(tuán)愿與各國代表團(tuán)一道，以積極、靈活和務(wù)實(shí)的態(tài)度參加會談和磋商，為使本次會議能夠取得積極成果作出建設(shè)性努力。

韓、俄、美、朝、日五國代表團(tuán)團(tuán)長對六方會談的重啟表示歡迎，感謝中方為復(fù)談做出的不懈努力。各方重申繼續(xù)履行在“9?19”共同聲明中作出的承諾，堅(jiān)持通過對話協(xié)商以和平方式實(shí)現(xiàn)半島無核化，實(shí)現(xiàn)有關(guān)國家關(guān)系正?；?，實(shí)現(xiàn)東北亞地區(qū)長治久安。各方還表示，六方會談重啟來之不易，各方應(yīng)抓住機(jī)遇，本著面向未來、靈活務(wù)實(shí)的精神，按照“行動對行動”和協(xié)調(diào)一致原則，制定落實(shí)共同聲明的具體措施和步驟，爭取使會談取得積極成果。

開幕式之前，六方代表團(tuán)舉行了團(tuán)長會議。

當(dāng)天，六方會談中方代表團(tuán)發(fā)言人姜瑜在吹風(fēng)會上表示，各方在第五輪北京六方會談第二階段會議首日進(jìn)行了“認(rèn)真、坦率、務(wù)實(shí)”的會談。

姜瑜表示，中方支持朝美進(jìn)行接觸和對話，希望雙方利用此階段會談機(jī)會，就各自關(guān)切問題深入交換意見，找到妥善解決問題的辦法。

姜瑜表示，朝美在9?19共同聲明中承諾相互尊重、和平共處，根據(jù)各自雙邊政策，采取步驟實(shí)現(xiàn)關(guān)系正?；Ｖ蟹较Ｍ离p方本著相互尊重、平等協(xié)商的精神，加強(qiáng)溝通，彌合分歧，通過對話和平解決問題，不斷推動半島形勢向積極方向發(fā)展。

12月19日，第五輪六方會談第二階段會議舉行團(tuán)長會，各方就落實(shí)共同聲明的具體措施發(fā)表了看法，并提出了具體建議。

中方代表團(tuán)團(tuán)長武大偉表示，落實(shí)共同聲明是一個(gè)系統(tǒng)工程，分階段實(shí)施，逐步推進(jìn)，是比較現(xiàn)實(shí)合理的選擇。作為第一步，應(yīng)該制定有助于落實(shí)共同聲明的具體措施，確定各方現(xiàn)階段能夠采取的具體行動。

各方代表團(tuán)重申了堅(jiān)持“9?19”共同聲明的立場，并表示將作出進(jìn)一步努力，制定落實(shí)共同聲明的規(guī)劃。

當(dāng)晚，外交部副部長戴秉國在釣魚臺國賓館設(shè)宴款待參加第五輪六方會談第二階段會議的各國代表團(tuán)團(tuán)長。

戴秉國對各國代表團(tuán)團(tuán)長來京出席此次六方會談表示歡迎。他指出，舉行六方會談的目的就是通過對話和磋商，擴(kuò)大共識，增進(jìn)信任，縮小分歧，消除隔閡。在過去的兩天里，各方通過全體會議、團(tuán)長會、雙邊磋商等多種形式，圍繞落實(shí)共同聲明的措施坦率、深入地交換意見，闡明了各自立場，增加了彼此了解，談判在不斷深化。

戴秉國表示，相信各方會拿出巨大誠意，作出最大努力，在實(shí)現(xiàn)半島無核化和有關(guān)國家關(guān)系正?；矫孢~出堅(jiān)實(shí)步伐，早日實(shí)現(xiàn)各方的共同目標(biāo)。

當(dāng)天下午，外交部發(fā)言人秦剛在例行記者會上表示，六方會談是一個(gè)逐步推進(jìn)的進(jìn)程，有關(guān)各方在不斷加強(qiáng)接觸、增進(jìn)了解、尋求共識、積累共同點(diǎn)、縮小分歧的過程中逐步邁向前進(jìn)。

秦剛說，中方本著客觀、平衡、兼顧各方利益和關(guān)切的精神，同有關(guān)各方保持接觸，聽取有關(guān)各方建議和意見，進(jìn)行協(xié)調(diào)和斡旋。他強(qiáng)調(diào)，中方和其他各方在六方會談中有一個(gè)“非常重要的、壓倒一切的”共識，即回到通過對話和談判解決朝鮮半島核問題的軌道上來，共同落實(shí)“9?19”共同聲明，朝著朝鮮半島無核化的目標(biāo)前進(jìn)。他表示相信，本著這樣的共識，中國和美國以及其他有關(guān)方能夠通過協(xié)商和接觸，不斷找到彼此之間的共同點(diǎn)。

12月20日，第五輪六方會談第二階段會議進(jìn)入第三天，雙邊磋商和接觸異常密集，談判依舊艱難。

由美國助理財(cái)政部長幫辦丹尼爾?格拉澤和朝鮮貿(mào)易銀行總裁吳光哲率領(lǐng)的美朝相關(guān)代表團(tuán)于當(dāng)天在朝鮮駐華使館就金融問題進(jìn)行了第二次磋商。19日，美朝代表團(tuán)就金融問題進(jìn)行了首次磋商。

格拉澤表示，他和朝鮮代表團(tuán)當(dāng)天進(jìn)行了5個(gè)小時(shí)的磋商，雙方“態(tài)度認(rèn)真”，磋商是“有幫助的”。雙方正商討2007年1月在紐約繼續(xù)就此問題進(jìn)行討論。

當(dāng)天，中國國際問題研究所研究員晉林波分析指出，美國的態(tài)度此次有兩大調(diào)整：一是愿意向朝鮮提供書面安全保障；二是愿意談金融問題。過去美國并不愿意這樣做。美國帶來了具體的解決核問題的方案，其中有些內(nèi)容充分考慮到朝鮮的接受能力。

中國社會科學(xué)院亞太所專家樸鍵一分析指出，中國創(chuàng)造性地提出工作組機(jī)制和“多邊中的雙邊”的問題解決機(jī)制，使談判不分場合、不拘形式、多邊雙邊同時(shí)進(jìn)行，將談判任務(wù)化整為零，體現(xiàn)出一種更為主動的外交新思維。

當(dāng)天下午，外交部長李肇星在釣魚臺國賓館會見各國代表團(tuán)團(tuán)長。

李肇星說，六方會談進(jìn)程陷入僵局一年多以后得以重新啟動，實(shí)屬不易。在六方會談框架下通過談判和平解決朝核問題，實(shí)現(xiàn)半島無核化，實(shí)現(xiàn)半島和東北亞地區(qū)的長治久安，符合各方的利益，符合世界人民的愿望。

李肇星指出，第四輪六方會談發(fā)表的共同聲明是六方會談進(jìn)程取得的重要進(jìn)展，照顧到各方關(guān)切，值得珍惜。為實(shí)現(xiàn)互利共贏，各方當(dāng)務(wù)之急是制定落實(shí)共同聲明的規(guī)劃，采取實(shí)際行動履行各自在共同聲明中作出的承諾。

李肇星表示，經(jīng)過各方代表團(tuán)的艱苦努力，此次會談已取得許多新的共識：各方都重申履行“9?19”共同聲明；重申愿通過對話和平解決半島核問題；重申堅(jiān)持朝鮮半島無核化的共同目標(biāo)。希望有關(guān)各方發(fā)揮政治智慧和創(chuàng)造性，逐步積累信任，擴(kuò)大共識，中方將一如既往地發(fā)揮建設(shè)性作用，與各方保持密切溝通與合作，推動會談取得積極進(jìn)展。

各國代表團(tuán)團(tuán)長表示，六方會談重啟意義重大。各方應(yīng)進(jìn)一步做出共同努力，克服困難，推動會談取得實(shí)質(zhì)性成果。各方贊賞中方作為六方會談主席國為復(fù)談并推動會談取得成果所發(fā)揮的重要作用。

12月21日 ，第五輪北京六方會談第二階段會議進(jìn)入第四天，各方進(jìn)行了密集的雙邊磋商。

當(dāng)天，中方分別和朝、美、韓、日、俄五方舉行了雙邊磋商。俄日、美日、朝美也分別進(jìn)行了雙邊磋商。

本階段會談采取了全體會、團(tuán)長會和雙邊磋商等形式。截至當(dāng)天下午1點(diǎn)半，在釣魚臺國賓館內(nèi)已舉行了25場雙邊磋商，其中13場和中方有關(guān)。

六方會談美國代表團(tuán)團(tuán)長希爾當(dāng)天表示，會議將進(jìn)入以文件形式反映進(jìn)展情況的階段。

外交部發(fā)言人秦剛在當(dāng)天的例行記者會上也表示，會議已到了一個(gè)各方認(rèn)真、坦率、務(wù)實(shí)地討論實(shí)質(zhì)性問題的階段，希望有關(guān)各方繼續(xù)齊心協(xié)力、耐心地推進(jìn)會談進(jìn)程。

12月22日，六方會談中方代表團(tuán)團(tuán)長、外交部副部長武大偉在北京宣讀了第五輪六方會談第二階段會議《主席聲明》。全文如下：

第五輪六方會談第二階段會議于12月18日至22日在北京舉行。

各方回顧了六方會談形勢的發(fā)展和變化，重申通過對話和平實(shí)現(xiàn)朝鮮半島無核化是各方的共同目標(biāo)和意志，重申將認(rèn)真履行在2005年9月19日共同聲明中作出的承諾，同意根據(jù)“行動對行動”原則，盡快采取協(xié)調(diào)一致步驟，分階段落實(shí)共同聲明。

各方就落實(shí)共同聲明的措施和起步階段各方將采取的行動進(jìn)行了有益的探討，提出了一些初步設(shè)想。各方還通過密集的雙邊磋商，就解決彼此關(guān)切坦率、深入地交換了意見。

各方同意休會，向首都報(bào)告，盡早復(fù)會。

當(dāng)天，國務(wù)委員唐家璇在釣魚臺國賓館會見了各國代表團(tuán)團(tuán)長。

唐家璇說，經(jīng)過一年多的折沖，六方會談進(jìn)程得以重啟，并就落實(shí)共同聲明措施和起步階段各方將要采取的行動進(jìn)行了坦誠和深入的討論。各方的主張更加明確，立場更加靠近，共識不斷積累。各方重新確認(rèn)了共同聲明精神，重申將認(rèn)真履行各自在共同聲明中作出的承諾，表達(dá)了繼續(xù)致力于實(shí)現(xiàn)半島無核化目標(biāo)和通過對話和平解決問題的意志，具有十分重要和積極的意義。

唐家璇指出，全面落實(shí)共同聲明是各方的責(zé)任和義務(wù)，也符合各方的利益。解決有關(guān)問題，實(shí)現(xiàn)東北亞的長治久安，不可能一蹴而就，需要有個(gè)循序漸進(jìn)的過程，需要各方作出政治決斷，需要對前途保持信心。

篇（9）

Abstract: China's construction of the bridge on the road around the town and at all levels road, it is bear heavy traffic loads and heavy traffic, its quality is a major concern of governments, regulatory authorities and the people. Quality management in the bridge was discussed.Key words: bridge; bridge; quality

中圖分類號：U448.14 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：2095-2104（2012）

由于道路和橋梁是國民經(jīng)濟(jì)的大動脈，道路和橋梁的運(yùn)行關(guān)聯(lián)性極強(qiáng)，牽一發(fā)而動全身，確保其日夜不間斷安全、正點(diǎn)地運(yùn)行，密切關(guān)系到國家的政治、經(jīng)濟(jì)、軍事、救災(zāi)和人民生產(chǎn)生活等諸多大事，如果在一座小橋上中斷行車一天，將使數(shù)以百計(jì)的客貨列車停運(yùn)，影響可波及數(shù)省，責(zé)任極其重大，所以道路和橋梁的設(shè)計(jì)、施工更加要強(qiáng)調(diào)穩(wěn)重。

道路和橋梁的施工單位在確保安全、不中斷行車、利用行車間隙或短暫的封鎖時(shí)間進(jìn)行道路和橋梁設(shè)施的修理、更換，從組織、計(jì)劃、準(zhǔn)備和技術(shù)措施方面的考慮，都要十分細(xì)致、周密和嚴(yán)謹(jǐn)，要考慮如何盡可能不影響或少影響正常運(yùn)行，以顧全國家、社會的大局利益，保證道路和橋梁運(yùn)輸系統(tǒng)的總體效益。

一、目前我國道橋工程現(xiàn)狀

（一）隨著城鄉(xiāng)一體化建設(shè)和交通運(yùn)輸事業(yè)的飛速發(fā)展，車輛載重量、車速和交通量已大為提高，在過去三、四十年所建造的低標(biāo)準(zhǔn)的、長期失養(yǎng)的農(nóng)用、公路及城市的道路和橋梁能否繼續(xù)服役并安全運(yùn)營，已成為公路和城市建設(shè)決策部門的一件大事。但是，有病害、甚至病害嚴(yán)重的危橋，如果有正確的檢查分析與診斷，以新技術(shù)、新材料給予加強(qiáng)、加固一般是能夠繼續(xù)安全運(yùn)營的，并且能使其原有載重等級得到提高。此項(xiàng)檢查、分析、加固的費(fèi)用，一般只是新建費(fèi)用的10%-20%.而且在加固過程中，除少量重車短期繞行之外，勿須全部中斷交通，其經(jīng)濟(jì)效益和社會效益極其了然。

（二）道路和橋梁的運(yùn)營管理本來就較難，又長期失控，車輛超限、超速、尤其是嚴(yán)重超載，給道路和橋梁造成極大的損害。道路和橋梁一方面是遭到強(qiáng)力損害，另一方面卻未得到應(yīng)有的關(guān)注、檢查、養(yǎng)護(hù)和救治，其壽命能長嗎？使得有的橋梁才建好十幾二十年，就因病害嚴(yán)重、承載力已大大降低而成為危橋。再加以缺少經(jīng)驗(yàn)豐富、理論基礎(chǔ)扎實(shí)的技術(shù)人員參與分析決策，加固乏術(shù)，不能保證安全，以致耗費(fèi)巨資，將橋梁拆除重建。

（三）對于事關(guān)行車安全的道路和橋梁設(shè)施的管理、檢查、養(yǎng)護(hù)維修、大修加固、技術(shù)檢定等方面，我國的道路和橋梁交通系統(tǒng)就施行了一整套嚴(yán)格的制度。特別是道路和橋梁設(shè)施的管理，長期以來實(shí)行了道路和橋梁檔案管理、經(jīng)常檢查、定期檢查、特別檢查和計(jì)劃預(yù)防性維修制度，配合路橋檢定、路橋試驗(yàn)、洪水沖刷觀測、路橋大修和防洪工程，維護(hù)了路橋的正常完好狀態(tài)，從而大大地延長了路橋的使用壽命，使得經(jīng)歷了幾十年的酷暑嚴(yán)冬、暴雨烈日、洪水淘刷、戰(zhàn)亂損壞和提載提速考驗(yàn)，除少數(shù)做了加固、換梁或改建之外，絕大多數(shù)的蒼老舊橋至今仍保持著安全運(yùn)營狀態(tài)，為國家承擔(dān)著日益繁重的運(yùn)輸任務(wù)，創(chuàng)造了極大的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。

二、公路橋梁的施工管理加強(qiáng)公路橋梁的管理并進(jìn)行維修和加固，使其處于正常的工作狀態(tài)，充分發(fā)揮橋梁的作用，是公路管理部門的一項(xiàng)主要任務(wù)。對于橋梁的超限運(yùn)輸管理工作具有工期短、要求高、工程量較小、前期工作量大等特點(diǎn)，公路超限運(yùn)輸一般是為國家或省的重點(diǎn)建設(shè)工程服務(wù)。 （一）對于經(jīng)常過大件的路段，應(yīng)對改路段上的大小橋梁進(jìn)行重點(diǎn)檢查和管理，收集原始檔案材料，掌握其動態(tài)，針對其技術(shù)和承受能力編制相應(yīng)的加固處理方案，需要報(bào)批的及時(shí)按程序報(bào)批。（二）在施工中針對其技術(shù)嚴(yán)格按照業(yè)主已批準(zhǔn)的加固方案進(jìn)行施工，注意抓重點(diǎn)、制約工程。（三）重視加固工程的原始資料的收集和整理工作，為今后的加固工程積累經(jīng)驗(yàn)。（四）充分調(diào)動基層單位的積極性，正確處理責(zé)、權(quán)、利的關(guān)系。公路橋梁的維修加固同樣屬于橋梁工程，不能重建輕養(yǎng)，橋梁的加固比新建還難，因?yàn)闃蛄旱木S修加固，沒有現(xiàn)成的規(guī)范，更沒有可供使用的標(biāo)準(zhǔn)圖，橋梁的病害又錯綜復(fù)雜，病害原因難以確定。因此應(yīng)充分重視公路橋梁的管理工作，加大資金投入，使其保持良好的工作狀態(tài)，確保公路運(yùn)輸?shù)陌踩?/p>

三、要抓好道路和橋梁工程項(xiàng)目經(jīng)理的管理技能，順利實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目的目標(biāo)。

項(xiàng)目經(jīng)理是企業(yè)法人代表在項(xiàng)目上的全權(quán)委托人。在企業(yè)內(nèi)部，項(xiàng)目經(jīng)理是項(xiàng)目實(shí)施全過程全部工作的總負(fù)責(zé)人，對外可以作為企業(yè)法人的代表在授權(quán)范圍內(nèi)負(fù)責(zé)、處理各項(xiàng)事務(wù)，因此項(xiàng)目經(jīng)理是項(xiàng)目實(shí)施最高責(zé)任者和組織者。由此可見，項(xiàng)目經(jīng)理是與項(xiàng)目分不開的，離開了項(xiàng)目，也就不存在“經(jīng)理”，因此，要探討道路和橋梁工程企業(yè)項(xiàng)目經(jīng)理應(yīng)具備的條件，就不能不說項(xiàng)目管理，有怎么樣的項(xiàng)目管理，就必須有怎么樣的項(xiàng)目經(jīng)理去管理，項(xiàng)目管理的方式、方法變了，項(xiàng)目經(jīng)理應(yīng)具備的條件也應(yīng)與之相適應(yīng)，否則就無法實(shí)現(xiàn)預(yù)期的管理目標(biāo)。道路和橋梁工程的施工過程，項(xiàng)目經(jīng)理對項(xiàng)目的管理主要限于對施工項(xiàng)目的管理，也就是說對一個(gè)道路和橋梁工程施工過程及成果進(jìn)行計(jì)劃、組織、指揮、協(xié)調(diào)和控制。施工項(xiàng)目管理是項(xiàng)目管理的一個(gè)分支，項(xiàng)目管理的發(fā)展與改革促進(jìn)了施工項(xiàng)目管理的發(fā)展，以及施工項(xiàng)目規(guī)模的越來越龐大與復(fù)雜也對項(xiàng)目經(jīng)理提出了更高的要求。傳統(tǒng)的項(xiàng)目經(jīng)理通常只是一個(gè)技術(shù)方面的專家和任務(wù)執(zhí)行者。而現(xiàn)代項(xiàng)目經(jīng)理不僅要有運(yùn)用各種管理工具來進(jìn)行計(jì)劃和控制的專業(yè)技術(shù)能力，還要有經(jīng)營管理等其他多方面能力，比如對項(xiàng)目部成員的激勵以及與業(yè)主、監(jiān)理、設(shè)計(jì)以及當(dāng)?shù)卣雀鞣降牟呗员３忠恢碌哪芰Αｍ?xiàng)目經(jīng)理必須通過人的因素來熟練運(yùn)用技術(shù)因素，以達(dá)到其項(xiàng)目目標(biāo)。也就是說，道路和橋梁工程的項(xiàng)目經(jīng)理，必須使項(xiàng)目部成為一個(gè)配合默契、具有積極性和責(zé)任感的高效率群體。因此，在現(xiàn)代項(xiàng)目管理的大環(huán)境與普遍采用項(xiàng)目法施工的情況下，筆者認(rèn)為，相關(guān)道路和橋梁企業(yè)的項(xiàng)目經(jīng)理若要實(shí)現(xiàn)預(yù)定項(xiàng)目管理的各種目標(biāo)，項(xiàng)目經(jīng)理要嚴(yán)格遵守道路橋梁工程施工與管理專業(yè)實(shí)施性專業(yè)規(guī)則管理技能和技術(shù)技能。從而確保道路橋梁工程施工與管理的順利實(shí)施。

四、路橋項(xiàng)目管理中的方案

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電子中的概念是反映電子現(xiàn)象和過程的本質(zhì)屬性的思維方式，是電子技術(shù)事實(shí)的抽象。它不僅是電子技術(shù)基礎(chǔ)理論知識的一個(gè)重要組成部分，而且也是構(gòu)成電子技術(shù)規(guī)律和公式的理論基礎(chǔ)。學(xué)生學(xué)習(xí)電子技術(shù)的過程，其實(shí)是在不斷地建立電子技術(shù)概念的過程。因此概念教學(xué)是學(xué)生學(xué)好電子技術(shù)的基礎(chǔ)，更是學(xué)好電子技術(shù)的關(guān)鍵。在實(shí)際教學(xué)中如何才能讓學(xué)生有效地掌握、理解并運(yùn)用好高中電子技術(shù)概念呢，從實(shí)際教學(xué)的經(jīng)驗(yàn)中體會到，采用靈活多變的教學(xué)方式，激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，變抽象為形象，可以提高概念教學(xué)的效果。

1、聯(lián)系、聯(lián)想記憶法

電子技術(shù)中有很多抽象的概念，例如：電場、電力線，磁場、磁力線，電場、磁場看不到但卻實(shí)存在（可以利用實(shí)驗(yàn)證明），而電力線和磁力線不存在為了分析問題方便而畫出來的（可以看到）。利用電力線或磁力線的方向表示電場或磁場的方向概念現(xiàn)象，利用電力線或磁力線的疏密來表示電場或磁場的強(qiáng)弱。

半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動也是如此：一般我們看不到，為了分析方便往往把空穴和自由電子畫出來。空穴帶正電荷，自由電子帶負(fù)電荷，主要靠空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為空穴型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體；主要靠自由電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體稱為電子型半導(dǎo)體或稱為N型半導(dǎo)體?？昭ㄍǔＳ脠A圈O表示，P去掉尾巴就是O；電子帶負(fù)電N就可以想成三個(gè)負(fù)號。通過總結(jié)空穴、電子，P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體就比較容易記了。

2、教學(xué)實(shí)驗(yàn)演示法

電子技術(shù)是一門以實(shí)驗(yàn)為基礎(chǔ)的學(xué)科,在實(shí)施概念教學(xué)時(shí),演示實(shí)驗(yàn)法往往是一種行之有效的教學(xué)方法,一個(gè)生動的演示實(shí)驗(yàn),可創(chuàng)設(shè)一種良好的電子技術(shù)環(huán)境，提供給學(xué)生鮮明具體的感性認(rèn)識,再通過引導(dǎo)學(xué)生對現(xiàn)象特征的概括形成自己的概念。

如“整流”概念的教學(xué)，用直流電源和單向半波整流電路演示，讓學(xué)生體會到外加電源的正極接二極管的正極，電源的負(fù)極接二極管的負(fù)極，二極管受正電壓，二極管導(dǎo)通，電路中通過大的電流IF；反之外加電源的正極接二極管的負(fù)極，電源負(fù)極接二極管的正極，電路中幾乎無電流通過。從而揭示了二極管的單向?qū)щ娦浴?/p>

3、電教圖象剖析法

有些高中電子技術(shù)概念，無法實(shí)驗(yàn)演示也無法從生活中體驗(yàn)。如PN結(jié)的形成，空穴和電子的擴(kuò)散運(yùn)動、漂移運(yùn)動等論文開題報(bào)告范例。可以用圖象、電教手段(如FLASH動畫)展示給學(xué)生觀看。電子技術(shù)圖象通過培養(yǎng)學(xué)生的直覺，從而培養(yǎng)學(xué)生的高層次的形象思維能力，建立起電子技術(shù)概念的情景；電教手段能以生動、形象、鮮明的動畫效果，模擬再現(xiàn)一些電子技術(shù)過程，學(xué)生通過觀看、思考，就會自覺地在頭腦中形成建立電子技術(shù)概念的情景。這種方法符合“從生動的直觀，到抽象的思維”的基本認(rèn)識規(guī)律，是現(xiàn)代教學(xué)中提高概念教學(xué)效果的一種重要手段。

4、興趣引導(dǎo)法

興趣是最好的老師，實(shí)際生活,生產(chǎn)實(shí)踐及現(xiàn)代高科技中一些有趣的電子技術(shù)現(xiàn)象會吸引學(xué)生的注意力，激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，活躍學(xué)生的思維，提高學(xué)生的理解能力，有利于知識的掌握。

如對放大概念的認(rèn)識概念現(xiàn)象，以門鈴的工作過程為例?？梢韵炔患臃糯笕龢O管時(shí)接好電源和音樂片，門鈴發(fā)聲，聲音很小只能在耳邊才能聽到；接著接好電源、音樂片，門鈴發(fā)聲，聲音比較大，整個(gè)班都可以聽到。使學(xué)生親身感受到門鈴發(fā)出聲響的明顯變化的現(xiàn)象。說明和分析什么是放大的概念，通過學(xué)生對“放大”現(xiàn)象切身的體會來理解掌握這一概念。利用振蕩電路組成的閃光燈電路即提高了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，有利于學(xué)生對電路的分析對知識的掌握。

5、循序漸進(jìn)法

循序漸進(jìn)，通過復(fù)習(xí)舊知識引入新知識,是實(shí)際教學(xué)中常用的一種教學(xué)方法。通過復(fù)習(xí)已掌握的電子技術(shù)概念,并對此概念加以擴(kuò)展,延伸,或使其內(nèi)涵、外延發(fā)生變化從而得到新的概念。

如：二極管的“單向?qū)щ?rdquo;和二極管“整流”。二極管具有單向?qū)щ娦?，利用其特性組成相應(yīng)的整流電路，接在交流電路中就可實(shí)現(xiàn)“整流”。利用三極管的放大作用，給三極管加上合適的偏置，搭接相應(yīng)的電路就可實(shí)現(xiàn)“放大”。