《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志的收稿方向主要包括:三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡訊等。
該雜志收稿方向廣泛,涵蓋了電子的多個(gè)重要領(lǐng)域和前沿話題,為電子工作者和研究者提供了一個(gè)交流和分享學(xué)術(shù)成果的重要平臺。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志投稿要求
(1)文獻(xiàn)引證方式采用注釋體例。注釋用尾注,置于文末。
(2)作者簡介在稿件首頁地腳。順序列出:姓名(出生年-),性別(民族),籍貫,工作單位及職務(wù),職稱,學(xué)位,學(xué)術(shù)簡歷及研究方向。
(3)中文摘要為150-300字。摘要的內(nèi)容應(yīng)包括目的、方法、實(shí)驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論;綜述性、評論性文章可寫指示性摘要。摘要中不應(yīng)出現(xiàn)“本文、我們、作者”之類的詞語。
(4)自投稿之日起3個(gè)月內(nèi)未接到用稿通知,請自行處理文稿。切忌一稿多投。來稿一般不退,敬請諒解。
(5)來稿若為課題研究成果,則凡被省級以上單位正式立項(xiàng)的課題,應(yīng)在文中標(biāo)明課題的立項(xiàng)單位、級別、時(shí)間和編號等信息。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志是由中國電子科技集團(tuán)公司主管和南京電子器件研究所主辦的學(xué)術(shù)理論期刊,創(chuàng)刊于1981年,國內(nèi)外公開發(fā)行,國際刊號ISSN為1000-3819,國內(nèi)刊號CN為32-1110/TN,該雜志級別為統(tǒng)計(jì)源期刊,預(yù)計(jì)審稿周期為1-3個(gè)月。
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展主要引證文獻(xiàn)期刊分析
該雜志在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力,多次獲得國內(nèi)外權(quán)威獎項(xiàng),如中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫(CJFD)、中科雙效期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、中國期刊方陣雙效期刊等。
在收錄方面,《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志被多個(gè)知名數(shù)據(jù)庫收錄,包括:統(tǒng)計(jì)源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏等,在電子領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)價(jià)值和影響力,是電子研究者和實(shí)踐者的重要參考刊物。
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志發(fā)文分析
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展主要機(jī)構(gòu)發(fā)文分析
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS |
東南大學(xué) | 317 | 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路 |
復(fù)旦大學(xué) | 231 | 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體 |
中國科學(xué)院 | 148 | 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié) |
西安電子科技大學(xué) | 116 | 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;晶體管;碳化硅 |
浙江大學(xué) | 77 | 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半導(dǎo)體;低功耗 |
清華大學(xué) | 70 | 電路;集成電路;計(jì)算機(jī);半導(dǎo)體;GAAS |
天津大學(xué) | 69 | 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)阻 |
南京大學(xué) | 68 | 發(fā)光;半導(dǎo)體;納米;氮化鎵;GAN |
中國科學(xué)院微電子研究所 | 68 | 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS |