《半導體》雜志投稿要求，如下：
（1）圖表應少而精，能用文字說明的不用表，能用表說明的不用圖。圖表的標題及文字說明均用中文。表用三橫線表，表內(nèi)同一項目（指標）數(shù)據(jù)要求小數(shù)點后位數(shù)一致。
（2）注釋是對論文中某一特定內(nèi)容的解釋或補充說明，用帶圈數(shù)字注于當頁頁腳。
（3）來稿請附中、英文的題目，其中，中文題目不超過20字，題目要能概括文章主旨，且須簡明、具體、確切，必要時可加副標題。
（4）來稿應是未曾公開發(fā)表的原創(chuàng)性稿件。
（5）參考文獻：說明引文的出處，采用文末尾注。
半導體雜志發(fā)文分析
半導體主要機構發(fā)文分析
| 機構名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
| 南開大學 | 37 | Z2000；電路；通信；芯片；擴頻 |
| 河北工業(yè)大學 | 23 | 力傳感器；感器；壓力傳感器；傳感；傳感器 |
| 河北大學 | 18 | 半導體；導體；晶格；半導體超晶格；超晶格 |
| 西安理工大學 | 13 | 半導體；碳化硅；功率器件；力傳感器；晶體管 |
| 南京電子器件研究所 | 10 | 半導體；異質(zhì)結(jié)；砷化鎵；微結(jié)構；晶格 |
| 電子部 | 10 | GAAS；半導體；砷化鎵；電路；單晶 |
| 西安交通大學 | 9 | 感器；波導；傳感；傳感器；光波 |
| 天津大學 | 9 | 三端電壓；負阻；負阻器件；雙極晶體管；晶體管 |
| 中國科學院 | 7 | 半導體；Y；砷化鎵；半導體材料；SI |
| 云南師范大學 | 6 | 陶瓷；力傳感器；感器；版圖；版圖設計 |
《半導體》雜志是由信息部電子46所;天津市電子學會主辦的季刊，審稿周期預計為1個月內(nèi)。該雜志的欄目設置豐富多樣，涵蓋研究報告、文獻綜述、簡報、專題研究等。
該雜志為學者們提供了一個交流學術成果和經(jīng)驗的平臺，發(fā)表的文章具有較高的學術水平和實踐價值，為讀者提供更多的實踐案例和行業(yè)信息，得到了廣大讀者的廣泛關注和引用。
