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Ieee Journal Of The Electron Devices Society

Ieee Journal Of The Electron Devices Society SCIE

IEEE電子器件學會雜志  國際簡稱:IEEE J ELECTRON DEVI

  • 工程技術 大類學科
  • ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 小類學科
  • 3區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q3 JCR分區(qū)

Ieee Journal Of The Electron Devices Society(IEEE電子器件學會雜志雜志)是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology為研究方向,OA開放獲?。∣pen Access)的國際優(yōu)秀期刊。旨在幫助發(fā)展和壯大工程技術及相關學科的各個方面。該期刊接受多種不同類型的文章。本刊出版語言為English,創(chuàng)刊于2013年。自創(chuàng)刊以來,已被SCIE(科學引文索引擴展板)等國內外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質量的論文,重點介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實踐中的理論、研究和應用。

雜志介紹

  • ISSN:2168-6734

    E-ISSN:2168-6734

    出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  • 出版語言:English

    出版地區(qū):UNITED STATES

    出版周期:1 issue/year

  • 是否OA:開放

    是否預警:否

    創(chuàng)刊時間:2013

  • 年發(fā)文量:92

    影響因子:2

    研究類文章占比:98.91%

    Gold OA文章占比:97.60%

    H-index:23

    出版國人文章占比:0.21

    出版撤稿文章占比:

    開源占比:0.97...

    文章自引率:0.0434...

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》是一份國際優(yōu)秀期刊,為工程技術領域的研究人員和從業(yè)者提供科學論壇。該期刊涵蓋了工程技術及相關學科的所有方面,包括基礎和應用研究,使讀者能夠獲得來自世界各地的最新、前沿的研究。該期刊歡迎涉及工程技術領域的原創(chuàng)理論、方法、技術和重要應用的稿件,并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目:綜述、論著、述評、論著摘要等。所有投稿都有望達到高標準的科學嚴謹性,并為推進該領域的科研知識傳播做出貢獻。該期刊最新CiteScore值為5.2,最新影響因子為2,SJR指數(shù)為0.505,SNIP指數(shù)為0.955。

期刊Ieee Journal Of The Electron Devices Society近年評價數(shù)據(jù)趨勢圖

中科院SCI期刊分區(qū)大類分區(qū)趨勢圖
期刊自引率趨勢圖
期刊CiteScore趨勢圖
期刊影響因子趨勢圖
期刊年發(fā)文量趨勢圖

期刊CiteScore指數(shù)統(tǒng)計(2024年最新版)

CiteScore指標的應用非常廣泛,以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。它可以反映期刊的學術影響力和學術水平,是學術界常用的期刊評價指標之一。

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
5.2 0.505 0.955
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284

68%

大類:Materials Science 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797

68%

大類:Materials Science 小類:Biotechnology Q2 139 / 311

55%

CiteScore是由Elsevier公司開發(fā)的一種用于衡量科學期刊影響力的指標,以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。這個指標是由Scopus數(shù)據(jù)庫支持,以四年為一個時段,連續(xù)評估期刊和叢書的引文影響力的。具體來說,CiteScore是計算某期刊連續(xù)三年發(fā)表的論文在第四年度的篇均引用次數(shù)。CiteScore和影響因子(IF)有所不同。例如,在影響因子的計算中,分子是來自所有文章的引用次數(shù),包括編輯述評、讀者來信、更正信息和新聞等非研究性文章,而分母則不包括這些非研究性文章。然而,在CiteScore的計算中,分子和分母都包括這些非研究性文章。因此,如果這些非研究性文章比較多,由于分母較大,相較于影響因子,CiteScore計算出來的分數(shù)可能會偏低。此外,CiteScore的引用數(shù)據(jù)來自Scopus數(shù)據(jù)庫中的22000多個期刊,比影響因子來自Web of Science數(shù)據(jù)庫的11000多個期刊多了一倍。

期刊WOS(JCR)分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

42.8%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

WOS(JCR)分區(qū)是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標,分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好,發(fā)文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類,然后以影響因子為標準平均分為四個等級:Q1、Q2、Q3和Q4區(qū)。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。

中科院SCI期刊分區(qū)

中科院SCI期刊分區(qū)是由中國科學院國家科學圖書館制定的。將所有的期刊按照學科進行分類,以影響因子為標準平均分為四個等級。分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好,發(fā)文難度也越高。

2023年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
4區(qū)

2022年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
3區(qū)

2021年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
3區(qū)

2021年12月基礎版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
4區(qū)

2021年12月升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
3區(qū)

2020年12月舊的升級版

Top期刊 綜述期刊 大類學科 小類學科
工程技術 3區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣
3區(qū)

投稿提示

Ieee Journal Of The Electron Devices Society(中文譯名IEEE電子器件學會雜志雜志)是一本專注于Biochemistry, Genetics and Molecular Biology,Biotechnology領域的國際期刊,致力于為全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的研究者提供一個高質量的學術交流平臺。該期刊ISSN:2168-6734,E-ISSN:2168-6734,出版周期1 issue/year。在中科院的大類學科分類中,該期刊屬于工程技術范疇,而在小類學科中,它主要涵蓋了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC這一領域。編輯部誠摯邀請廣大工程技術領域的專家學者投稿,內容可以涵蓋工程技術的綜合研究、實踐應用、創(chuàng)新成果等方面。同時,我們也歡迎學者們就相關主題進行簡短的交流和評論,以促進學術界的互動與合作。為了保證期刊的質量,審稿周期預計為 9 Weeks 。在此期間,編輯部將對所有投稿進行嚴格的同行評審,以確保發(fā)表的文章具有較高的學術價值和實用性。

值得一提的是,Ieee Journal Of The Electron Devices Society近期并未被列入國際期刊預警名單,這意味著其學術質量和影響力得到了廣泛認可。作為一本OA開放期刊,該期刊為工程技術領域的學者提供了一個優(yōu)質的學術交流平臺。因此,關注并投稿至Ieee Journal Of The Electron Devices Society無疑是一個明智的選擇,這將有助于提升您的學術聲譽和研究成果的傳播。

多年來,我們專注于期刊投稿服務,能夠為您分析推薦目標期刊。憑借多年來豐富的投稿經(jīng)驗和專業(yè)指導,我們有效助力提升錄用幾率。點擊以下按鈕即可免費咨詢。

投稿咨詢

期刊發(fā)文分析

機構發(fā)文量統(tǒng)計
機構 發(fā)文量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... 22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE 18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOL... 17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 15
PEKING UNIVERSITY 14
國家 / 地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
國家 / 地區(qū) 發(fā)文量
CHINA MAINLAND 168
USA 99
Taiwan 98
South Korea 74
Japan 61
India 40
France 29
GERMANY (FED REP GER) 27
Switzerland 23
Belgium 20
期刊引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計
期刊引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 499
IEEE ELECTR DEVICE L 445
APPL PHYS LETT 311
J APPL PHYS 180
SOLID STATE ELECTRON 105
IEEE J ELECTRON DEVI 75
JPN J APPL PHYS 73
NANO LETT 64
IEEE J SOLID-ST CIRC 58
NATURE 53
期刊被引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計
期刊被引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
IEEE T ELECTRON DEV 140
IEEE J ELECTRON DEVI 75
IEEE ELECTR DEVICE L 59
SEMICOND SCI TECH 36
IEEE ACCESS 29
JPN J APPL PHYS 27
SOLID STATE ELECTRON 22
APPL PHYS LETT 20
MICROMACHINES-BASEL 20
J APPL PHYS 18
文章引用數(shù)據(jù)次數(shù)統(tǒng)計
文章引用數(shù)據(jù) 引用次數(shù)
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Development and Fabrication of AlGaInP-Bas... 10
Experimental Investigations of State-of-th... 10

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