Ieee Journal Of The Electron Devices Society(IEEE電子器件學會雜志雜志)是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社主辦的一本以Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology為研究方向,OA開放獲?。∣pen Access)的國際優(yōu)秀期刊。旨在幫助發(fā)展和壯大工程技術及相關學科的各個方面。該期刊接受多種不同類型的文章。本刊出版語言為English,創(chuàng)刊于2013年。自創(chuàng)刊以來,已被SCIE(科學引文索引擴展板)等國內外知名檢索系統(tǒng)收錄。該雜志發(fā)表了高質量的論文,重點介紹了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC在分析和實踐中的理論、研究和應用。
ISSN:2168-6734
E-ISSN:2168-6734
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版語言:English
出版地區(qū):UNITED STATES
出版周期:1 issue/year
是否OA:開放
是否預警:否
創(chuàng)刊時間:2013
年發(fā)文量:92
影響因子:2
研究類文章占比:98.91%
Gold OA文章占比:97.60%
H-index:23
出版國人文章占比:0.21
出版撤稿文章占比:
開源占比:0.97...
文章自引率:0.0434...
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》是一份國際優(yōu)秀期刊,為工程技術領域的研究人員和從業(yè)者提供科學論壇。該期刊涵蓋了工程技術及相關學科的所有方面,包括基礎和應用研究,使讀者能夠獲得來自世界各地的最新、前沿的研究。該期刊歡迎涉及工程技術領域的原創(chuàng)理論、方法、技術和重要應用的稿件,并刊載了涉及工程技術領域的相關欄目:綜述、論著、述評、論著摘要等。所有投稿都有望達到高標準的科學嚴謹性,并為推進該領域的科研知識傳播做出貢獻。該期刊最新CiteScore值為5.2,最新影響因子為2,SJR指數(shù)為0.505,SNIP指數(shù)為0.955。
CiteScore指標的應用非常廣泛,以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。它可以反映期刊的學術影響力和學術水平,是學術界常用的期刊評價指標之一。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||
5.2 | 0.505 | 0.955 |
|
CiteScore是由Elsevier公司開發(fā)的一種用于衡量科學期刊影響力的指標,以期刊的引用次數(shù)為基礎評估期刊的影響力。這個指標是由Scopus數(shù)據(jù)庫支持,以四年為一個時段,連續(xù)評估期刊和叢書的引文影響力的。具體來說,CiteScore是計算某期刊連續(xù)三年發(fā)表的論文在第四年度的篇均引用次數(shù)。CiteScore和影響因子(IF)有所不同。例如,在影響因子的計算中,分子是來自所有文章的引用次數(shù),包括編輯述評、讀者來信、更正信息和新聞等非研究性文章,而分母則不包括這些非研究性文章。然而,在CiteScore的計算中,分子和分母都包括這些非研究性文章。因此,如果這些非研究性文章比較多,由于分母較大,相較于影響因子,CiteScore計算出來的分數(shù)可能會偏低。此外,CiteScore的引用數(shù)據(jù)來自Scopus數(shù)據(jù)庫中的22000多個期刊,比影響因子來自Web of Science數(shù)據(jù)庫的11000多個期刊多了一倍。
按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8% |
按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58% |
WOS(JCR)分區(qū)是由科睿唯安公司提出的一種新的期刊評價指標,分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好,發(fā)文難度也越高。這種分級體系有助于科研人員快速了解各個期刊的影響力和地位。JCR將所有期刊按照各個學科領域進行分類,然后以影響因子為標準平均分為四個等級:Q1、Q2、Q3和Q4區(qū)。這種設計使得科研人員可以更容易地進行跨學科比較。
中科院SCI期刊分區(qū)是由中國科學院國家科學圖書館制定的。將所有的期刊按照學科進行分類,以影響因子為標準平均分為四個等級。分區(qū)越靠前一般代表期刊質量越好,發(fā)文難度也越高。
2023年12月升級版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
4區(qū)
|
2022年12月升級版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
3區(qū)
|
2021年12月舊的升級版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
3區(qū)
|
2021年12月基礎版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 4區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
4區(qū)
|
2021年12月升級版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
3區(qū)
|
2020年12月舊的升級版
Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
否 | 否 | 工程技術 3區(qū) |
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程:電子與電氣
3區(qū)
|
Ieee Journal Of The Electron Devices Society(中文譯名IEEE電子器件學會雜志雜志)是一本專注于Biochemistry, Genetics and Molecular Biology,Biotechnology領域的國際期刊,致力于為全球ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的研究者提供一個高質量的學術交流平臺。該期刊ISSN:2168-6734,E-ISSN:2168-6734,出版周期1 issue/year。在中科院的大類學科分類中,該期刊屬于工程技術范疇,而在小類學科中,它主要涵蓋了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC這一領域。編輯部誠摯邀請廣大工程技術領域的專家學者投稿,內容可以涵蓋工程技術的綜合研究、實踐應用、創(chuàng)新成果等方面。同時,我們也歡迎學者們就相關主題進行簡短的交流和評論,以促進學術界的互動與合作。為了保證期刊的質量,審稿周期預計為 9 Weeks 。在此期間,編輯部將對所有投稿進行嚴格的同行評審,以確保發(fā)表的文章具有較高的學術價值和實用性。
值得一提的是,Ieee Journal Of The Electron Devices Society近期并未被列入國際期刊預警名單,這意味著其學術質量和影響力得到了廣泛認可。作為一本OA開放期刊,該期刊為工程技術領域的學者提供了一個優(yōu)質的學術交流平臺。因此,關注并投稿至Ieee Journal Of The Electron Devices Society無疑是一個明智的選擇,這將有助于提升您的學術聲譽和研究成果的傳播。
多年來,我們專注于期刊投稿服務,能夠為您分析推薦目標期刊。憑借多年來豐富的投稿經(jīng)驗和專業(yè)指導,我們有效助力提升錄用幾率。點擊以下按鈕即可免費咨詢。
投稿咨詢機構 | 發(fā)文量 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 35 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT... | 22 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE | 18 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOL... | 17 |
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 15 |
PEKING UNIVERSITY | 14 |
國家 / 地區(qū) | 發(fā)文量 |
CHINA MAINLAND | 168 |
USA | 99 |
Taiwan | 98 |
South Korea | 74 |
Japan | 61 |
India | 40 |
France | 29 |
GERMANY (FED REP GER) | 27 |
Switzerland | 23 |
Belgium | 20 |
期刊引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
APPL PHYS LETT | 311 |
J APPL PHYS | 180 |
SOLID STATE ELECTRON | 105 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
JPN J APPL PHYS | 73 |
NANO LETT | 64 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
NATURE | 53 |
期刊被引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
SEMICOND SCI TECH | 36 |
IEEE ACCESS | 29 |
JPN J APPL PHYS | 27 |
SOLID STATE ELECTRON | 22 |
APPL PHYS LETT | 20 |
MICROMACHINES-BASEL | 20 |
J APPL PHYS | 18 |
文章引用數(shù)據(jù) | 引用次數(shù) |
FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET... | 21 |
Characterization and Compact Modeling of N... | 19 |
Characterization and Modeling of 28-nm Bul... | 14 |
Cryogenic Temperature Characterization of ... | 11 |
Hysteresis Reduction in Negative Capacitan... | 11 |
Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 ... | 11 |
Direct Correlation of Ferroelectric Proper... | 10 |
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory ... | 10 |
Development and Fabrication of AlGaInP-Bas... | 10 |
Experimental Investigations of State-of-th... | 10 |
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